[發明專利]半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201310095417.6
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103219288A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 胡勇;于濤
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底具有電容區；

在所述電容區的半導體襯底表面形成閃存單元，所述閃存單元包括：位于半導體襯底表面的隧穿氧化層、以及位于所述隧穿氧化層表面的字線層；

在所述字線層表面形成介質層；

在所述介質層表面形成電極層；

形成分別與字線層和電極層電連接的導電插塞。

2.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述閃存單元還包括：位于字線層兩側的隧穿氧化層表面的浮柵層，位于所述浮柵層表面的第二介質層，以及位于所述第二介質層表面的控制柵層，所述浮柵層、第二介質層和控制柵層與字線層之間通過第一介質層電隔離。

3.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二介質層為氧化硅-氮化硅-氧化硅的重疊結構，所述浮柵層和控制柵層的材料為多晶硅，所述第一介質層的材料為氧化硅和氮化硅中的一種或兩種組合。

4.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底還具有存儲區，在所述電容區的半導體襯底表面形成閃存單元的同時，在存儲區的半導體襯底表面形成閃存單元，而且在電容區和存儲區形成閃存單元的工藝相同，所形成的閃存單元的結構相同。

5.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底還具有邏輯區，在所述電容區的字線層表面形成介質層的同時，在邏輯區的半導體襯底表面形成介質層，在所述電容區的介質層表面形成電極層的同時，在邏輯區的介質層表面形成電極層，所述邏輯區的介質層作為邏輯晶體管的柵介質層，所述邏輯區的電極層作為邏輯晶體管的柵極層。

6.如權利要求5所述半導體器件的形成方法，其特征在于，在邏輯區的半導體襯底表面形成電極層之后，在所述邏輯區的介質層和電極層兩側的半導體襯底表面形成側墻，在所述電極層和側墻兩側的半導體襯底內形成源區和漏區。

7.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述電容區的半導體襯底內具有淺溝槽隔離結構，在所述淺溝槽隔離結構表面形成所述閃存單元。

8.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述電容區的半導體襯底內具有阱區，在所述阱區表面形成閃存單元。

9.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述隧穿氧化層和介質層的材料為氧化硅，所述字線層和電極層的材料為多晶硅，所述導電插塞的材料為銅、鎢或鋁。

10.一種采用如權利要求1至9中的任一項方法形成的半導體器件，其特征在于，包括：半導體襯底，所述半導體襯底具有電容區；位于所述電容區的半導體襯底表面的閃存單元，所述閃存單元包括：位于半導體襯底表面的隧穿氧化層、以及位于所述隧穿氧化層表面的字線層；位于所述字線層表面的介質層；位于所述介質層表面的電極層；分別與字線層和電極層電連接的導電插塞。