[發明專利]與包括 JFET 部分的二極管器件有關的方法和設備

無效

• 申請號: 201310095362.9
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103325785A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 金成龍;金鐘集
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/822
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;王素貞

技術領域

本說明書涉及包括結型場效應晶體管部分的二極管器件。?

背景技術

各種類型的分立式半導體部件可以一起使用以執行計算應用中的各種功能。但是，使用單獨的分立式半導體部件可以具有許多缺點。例如，生產多個單獨的部件的成本可能大于用于將多個器件集成到單個分立式部件中的成本。而且，各個分立式部件可以具有當連同其它的分立式部件一起使用時不能以理想方式減小的熱傳遞問題、泄漏問題、和/或其它問題。因此，存在對于用以應對當前技術的不足和用以提供其它新穎和創新的特征的系統、方法和設備的需求。?

發明內容

在一個一般的方面中，設備可以包括陽極端子和陰極端子。設備可以包括具有溝道的結型場效應晶體管（JFET）部分，該溝道被設置在半導體襯底內并且限定位于陽極端子與陰極端子之間的電通路的第一部分。設備還可以包括二極管部分，該二極管部分形成在半導體襯底內并且限定位于陽極端子與陰極端子之間的電通路的第二部分。二極管部分可以串聯地耦接到JFET器件的溝道。?

在另一個一般的方面中，設備可以包括陽極端子和陰極端子。設備可以包括隔離區域，該隔離區域具有被設置在陽極端子下方的重摻雜部分、?以及被設置在重摻雜部分與陰極端子之間的輕摻雜部分。設備可以包括結型場效應晶體管（JFET）部分和二極管部分，JFET部分具有被設置在隔離區域內的溝道，二極管部分包括PN結，該PN結具有被設置在陽極端子與隔離區域的重摻雜部分之間的至少一部分。?

在又一個一般的方面中，方法可以包括：形成隔離區域，隔離區域具有第一摻雜類型并且具有限定二極管器件的結型場效應晶體管（JFET）部分的溝道的至少一部分；以及植入阱區域，阱區域具有與JFET部分中的第一摻雜類型不同的第二摻雜類型。方法可以包括在隔離區域上方形成氧化物層、以及形成PN結，PN結被串聯地耦接到隔離區域并且被包括在二極管器件的位于隔離區域上方的二極管部分中。方法也可以包括植入沉陷區，沉陷區具有第一摻雜類型且位于氧化物層與隔離區域之間、且位于JFET部分的阱區域與二極管部分的PN結之間。?

一個或多個實現方式的細節在附圖和下文中的描述中闡述。其它的特征可以從描述和附圖、以及從權利要求中變得清楚。?

附圖說明

圖1是示出根據實施例的二極管器件的圖。?

圖2A和2B是示出根據實施例的另一二極管器件的圖。?

圖3A至3E是共同地示出根據實施例的用于生產二極管器件的過程的圖。?

圖4是示出根據實施例的用于制造二極管器件的方法的圖。?

圖5是示出當二極管器件被反向偏壓時二極管器件內的電勢的圖。?

圖6是示出根據實施例的二極管器件的擊穿電壓和夾斷電壓（pinch-off?voltage）的曲線圖。?

圖7是示出當二極管器件被正向偏壓時二極管器件內的電流的圖。?

圖8是示出根據實施例當二極管器件被正向偏壓時二極管器件內的電流的曲線圖。?

具體實施方式

圖1是示出根據實施例的二極管器件100的圖。如示出在圖1中的，二極管器件100包括二極管部分D1和結型場效應晶體管（JFET）部分J1。如示出在圖1中的，二極管部分D1耦接到陽極端子110，并且JFET部分J1耦接到陰極端子130。JFET部分J1具有耦接到接地端子120的柵極，并且接地端子120可以耦接到地電壓。在一些實施例中，接地端子120可以被稱為柵極端子。如示出在圖1中的，二極管部分D1和JFET部分J1被包括在半導體襯底180中。在一些實施例中，二極管器件100可以被稱為或者用作陰極負載二極管（bootstrap?diode）或者陰極負載二極管器件。?

如示出在圖1中的，二極管部分D1和JFET部分J1的溝道可以各自形成陽極端子110和陰極端子130之間的通路10（例如，電通路）的至少一部分。在一些實施例中，二極管器件100可以限定（例如，形成）通路10的第一部分，并且JFET部分J1的溝道可以限定通路10的第二部分。?