[發(fā)明專利]與包括 JFET 部分的二極管器件有關的方法和設備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310095362.9
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN103325785A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設計）人: 金成龍;金鐘集
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/822
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;王素貞

1.一種設備，包括：

陽極端子；

陰極端子；

結型場效應晶體管（JFET）部分，具有溝道，所述溝道被設置在半導體襯底內(nèi)并且限定位于所述陽極端子與所述陰極端子之間的電通路的第一部分；以及

二極管部分，形成在所述半導體襯底內(nèi)并且限定位于所述陽極端子與所述陰極端子之間的所述電通路的第二部分，所述二極管部分串聯(lián)地耦接到所述JFET器件的所述溝道。

2.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，當所述二極管部分被正向偏壓時，電流從所述陽極端子通過所述JFET部分的所述溝道流到所述陰極端子，并且當所述JFET部分的所述溝道被耗盡且所述二極管部分被反向偏壓時，電流基本上被阻止從所述陰極端子通過所述JFET部分的所述溝道流到所述陽極端子。

3.根據(jù)權利要求1所述的設備，進一步包括：

隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域被設置在所述陽極端子和所述陰極端子下方，所述溝道被設置在所述隔離區(qū)域內(nèi)并且具有第一摻雜類型，所述第一摻雜類型與所述半導體襯底的第二摻雜類型不同。

4.根據(jù)權利要求1所述的設備，進一步包括：

隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域具有被設置在所述陽極端子下方的重摻雜部分。

5.根據(jù)權利要求1所述的設備，進一步包括：

隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域具有被設置在所述陽極端子下方的第一重摻雜部分和被設置在所述陰極端子下方的第二重摻雜部分，所述第一重摻雜部分通過所述隔離區(qū)域的輕摻雜部分而與所述第二重摻雜部分隔離。

6.根據(jù)權利要求1所述的設備，進一步包括：

隔離區(qū)域，所述溝道被設置在所述隔離區(qū)域的部分內(nèi)，所述隔離區(qū)域的所述部分的摻雜劑濃度小于所述隔離區(qū)域的被設置在所述陽極端子或者所述陰極端子中的至少一個下方的部分的摻雜劑濃度。

7.根據(jù)權利要求1所述的設備，進一步包括：

被設置在所述陽極端子與所述陰極端子之間的所述JFET部分的接地端子。

8.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，所述二極管部分的至少一部分和所述溝道的至少一部分被形成在共用外延層內(nèi)。

9.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，當所述二極管部分被正向偏壓時，所述陽極端子與所述陰極端子之間的電壓降是所述二極管部分的正向偏壓電壓的大約兩倍。

10.根據(jù)權利要求1所述的設備，其中，所述二極管部分包括肖特基二極管。

11.一種設備，包括：

陽極端子；

陰極端子；

隔離區(qū)域，具有被設置在所述陽極端子下方的重摻雜部分、以及被設置在所述重摻雜部分與所述陰極端子之間的輕摻雜部分；

結型場效應晶體管（JFET）部分，具有被設置在所述隔離區(qū)域內(nèi)的溝道；以及

二極管部分，包括PN結，所述PN結具有被設置在所述陽極端子與所述隔離區(qū)域的所述重摻雜部分之間的至少一部分。

12.根據(jù)權利要求11所述的設備，其中，所述隔離區(qū)域被設置在半導體襯底內(nèi)并且用第一摻雜類型摻雜，

所述設備進一步包括：

被設置在所述陽極端子與所述陰極端子之間的所述JFET部分的接地端子，所述陽極端子與用第二摻雜類型摻雜的所述半導體襯底的第一部分接觸，所述陰極端子與用所述第一摻雜類型摻雜的所述半導體襯底的第二部分接觸，所述半導體襯底的第三部分被設置在所述接地端子與用所述第二摻雜類型摻雜的所述隔離區(qū)域之間。

13.根據(jù)權利要求11所述的設備，其中，所述重摻雜部分是第一重摻雜部分，

所述設備進一步包括：

第二重摻雜部分，所述第二重摻雜部分被設置在所述陰極端子下方，所述隔離區(qū)域的所述溝道被設置在所述第一重摻雜部分與所述第二重摻雜部分之間。

14.根據(jù)權利要求11所述的設備，其中，所述溝道限定位于所述陽極端子與所述陰極端子之間的電通路的第一部分，所述二極管部分限定位于所述陽極端子與所述陰極端子之間的所述電通路的第二部分，并且所述二極管部分串聯(lián)地耦接到所述JFET器件的所述溝道。

15.根據(jù)權利要求11所述的設備，其中，當所述二極管部分被正向偏壓時，電流從所述陽極端子通過所述JFET部分的所述溝道流到所述陰極端子。