[發明專利]一種無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法

無效

• 申請號: 201310093359.3
• 申請日: 2013-03-21
• 公開（公告）號: CN104058749A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 李方志;汪乾;胡春峰;黃慶;張海斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: C04B35/56
• 分類號: C04B35/56;C04B35/622
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：以鈦硅碳粉為原料，將原料裝入模具中，在20MPa～80MPa的壓力下冷壓成坯體，然后在150MPa～300MPa的壓力下冷等靜壓成型，再將成型后的樣品包埋在鈦硅碳粉或者SiC粉中以后放入無壓燒結爐中，在惰性氣體保護條件或真空條件下以2℃/min～100℃/min的升溫速率加熱至1200℃/min～1700℃燒結0.1小時～4小時，得到鈦硅碳塊體陶瓷材料。

2.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：所述的鈦硅碳原料粉的質量純度大于等于95%。

3.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：所述的鈦硅碳原料粉的粒度為50～1000目。

4.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：所述的無壓燒結爐包括管式爐、馬弗爐、微波燒結爐。

5.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：在30MPa～50MPa的壓力下冷壓成坯體。

6.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：在200MPa～300MPa的壓力下冷等靜壓成型。

7.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：所述的升溫速率為5℃/min～50℃/min。

8.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：所述的升溫速率為10℃/min～30℃/min。

9.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：所述的加熱溫度為1300℃/min～1500℃。

10.根據權利要求1所述的無壓燒結制備鈦硅碳陶瓷塊體材料的方法，其特征是：所述的燒結時間為0.5小時～2小時。