[發(fā)明專利]一種芯片表面形貌仿真的方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310092423.6
• 申請(qǐng)日: 2013-03-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103226627A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐勤志;陳嵐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種芯片表面形貌仿真的方法，其特征在于，包括：

確定與芯片的連接線寬相關(guān)的研磨墊有效特征粗糙參數(shù)；

根據(jù)所述有效特征參數(shù)確定研磨墊粗糙峰的修正指數(shù)分布；

根據(jù)所述指數(shù)分布及赫茲彈性接觸理論建立所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力和研磨墊形變量間的第一關(guān)系式；

根據(jù)接觸力學(xué)方程建立所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力與所述研磨墊形變量間的第二關(guān)系式；

根據(jù)所述第一關(guān)系式以及所述第二關(guān)系式計(jì)算所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力及形變量的關(guān)系式；

使用所述芯片的接觸壓力以及形變量的關(guān)系式進(jìn)行芯片表面形貌仿真。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用所述芯片的接觸壓力以及形變量的關(guān)系式進(jìn)行芯片表面形貌仿真包括：

根據(jù)芯片的接觸力與形變量的關(guān)系式以及研磨去除選擇比，計(jì)算研磨芯片的研磨去除率；

根據(jù)芯片的初始表面高度以及研磨去除率，確定芯片表面的實(shí)時(shí)形貌高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一關(guān)系式以及所述第二關(guān)系式計(jì)算所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力以及形變量的關(guān)系包括：

通過(guò)離散卷積-快速傅里葉變換的方法求解所述第一關(guān)系式以及第二關(guān)系式。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述修正指數(shù)分布建立所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力和研磨墊形變量間的第一關(guān)系式包括：

根據(jù)所述修正的指數(shù)分布對(duì)GW模型進(jìn)行重新推導(dǎo)，獲得所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力和研磨墊形變間的第一關(guān)系式。

5.一種芯片表面形貌仿真的裝置，其特征在于，包括：

第一確定模塊，用于確定與芯片的連接線寬相關(guān)的研磨墊有效特征粗糙參數(shù)；

第二確定模塊，用于根據(jù)所述有效特征參數(shù)確定研磨墊粗糙峰的修正指數(shù)分布；

第一建立模塊，用于根據(jù)所述指數(shù)分布及赫茲彈性接觸理論建立所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力和研磨墊形變量間的第一關(guān)系式；

第二建立模塊，用于根據(jù)接觸力學(xué)方程建立所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力與所述研磨墊形變量間的第二關(guān)系式；

計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述第一關(guān)系式以及所述第二關(guān)系式計(jì)算所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力以及形變量的關(guān)系式；

仿真模塊，用于使用所述芯片的接觸壓力以及形變量的關(guān)系式進(jìn)行芯片表面形貌仿真。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述仿真模塊包括：

第二計(jì)算單元，用于根據(jù)芯片的接觸力與形變量的關(guān)系式以及研磨去除選擇比，計(jì)算研磨芯片的研磨去除率；

確定單元，用于根據(jù)芯片的初始表面高度以及研磨去除率，確定芯片表面的實(shí)時(shí)形貌高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述計(jì)算模塊包括：

計(jì)算單元，用于通過(guò)離散卷積-快速傅里葉變換的方法求解所述第一關(guān)系式以及第二關(guān)系式。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述第一建立模塊包括：

推導(dǎo)單元，用于根據(jù)所述修正的指數(shù)分布對(duì)GW模型進(jìn)行重新推導(dǎo)，獲得所述研磨墊與所述芯片的接觸壓力和研磨墊形變間的第一關(guān)系式。