[發明專利]一種晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法無效
| 申請號: | 201310092347.9 | 申請日: | 2013-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN103208560A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 江蘇榮馬新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 張惠忠 |
| 地址: | 223700 江蘇省宿*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 石蠟 處理 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種晶體硅太陽能電池的掩膜處理方法,屬于晶體硅太陽能電池技術領域。
背景技術
太陽能電池是當今世界最有發展前景的可再生綠色新能源技術,晶體硅太陽能電池是其中主流產品。在晶體硅太陽能電池制作過程中,通過石蠟掩膜再經過刻蝕形成發射極。目前市場上技術比較成熟的石蠟供應商美國的太陽化學,其石蠟價格一直居高不下,因而導致在電池片生產過程中的成本高,從而使電池片價格高昂。
發明內容
本發明針對上述問題的不足,提出一種晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法,該方法制造的晶體硅太陽能電池不僅能夠保證電池外觀,且能夠保證電性能穩定,同時其價格低廉。
本發明為解決上述技術問題提出的技術方案是:一種晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法,包括石蠟打印機和刻蝕機,包括以下步驟:第一步,待處理的晶體硅太陽能電池的圖形輸入到打印機里;將固體石蠟放在石蠟溶液罐,高溫加熱后變成液體然后輸送到石蠟打印機的打印頭;將待處理的晶體硅太陽能電池置于石蠟打印機的打印臺內,將石蠟打印機的Y軸分辨率設定為300dpi-900dpi;將刻蝕機的帶速設定為1.4m/min-1.6?m/min;第二步,通過石蠟打印機將圖形打印到待處理的晶體硅太陽能電池的硅片表面形成掩膜;第三步,通過刻蝕機將已完成圖形打印的硅片進行刻蝕。
優選的:所述刻蝕機的帶速為1.5?m/min,所述石蠟打印機的Y軸分辨率為600dpi。
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本發明的晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法,相比現有技術,具有以下有益效果:由于通過改變石蠟打印機的分辨率以及刻蝕機的帶速來降低石蠟的消耗量,分辨率越低消耗的石蠟越少,對電池的外觀和電性能沒有影響,因此其石蠟消耗量低,因而其價格低廉,同時能夠保證電池外觀,且能夠保證電性能穩定,而且本發明操作簡單、成本低、處理效果好,適合批量處理掩膜晶體硅太陽能電池片。
具體實施方式:
實施例。
一種晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法,包括石蠟打印機和刻蝕機,包括以下步驟:第一步,待處理的晶體硅太陽能電池的圖形輸入到打印機里;將固體石蠟放在石蠟溶液罐,高溫加熱后變成液體然后輸送到石蠟打印機的打印頭;將待處理的晶體硅太陽能電池置于石蠟打印機的打印臺內,將石蠟打印機的Y軸分辨率設定為300dpi-900dpi,優選的石蠟打印機的Y軸分辨率為600dpi;將刻蝕機的帶速設定為1.4m/min-1.6?m/min,優選的所述刻蝕機的帶速為1.5?m/min;第二步,通過石蠟打印機將圖形打印到待處理的晶體硅太陽能電池的硅片表面形成掩膜;第三步,通過刻蝕機將已完成圖形打印的硅片進行刻蝕。
本發明的原理為:通過改變石蠟打印機的分辨率以及刻蝕機的帶速來降低石蠟的消耗量,分辨率越低消耗的石蠟越少,同時能夠保證對電池的外觀和電性能沒有影響。
在具體實施過程中,以設計打印圖形為三根主柵,78根細柵為例。打印機的打印頭為五個,五個打印頭的分辨率設定為900?dpi時分別對應五道晶體硅太陽能電池,平均每片晶體硅太陽能電池的石蠟消耗量為[U1]?之間。具體耗量如下表:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





