[發明專利]一種晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法無效
| 申請號: | 201310092347.9 | 申請日: | 2013-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN103208560A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 江蘇榮馬新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 張惠忠 |
| 地址: | 223700 江蘇省宿*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 石蠟 處理 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法,包括石蠟打印機和刻蝕機,其特征包括以下步驟:第一步,待處理的晶體硅太陽能電池的圖形輸入到打印機里;將固體石蠟放在石蠟溶液罐,高溫加熱后變成液體然后輸送到石蠟打印機的打印頭;將待處理的晶體硅太陽能電池置于石蠟打印機的打印臺內,將石蠟打印機的Y軸分辨率設定為300dpi-900dpi;將刻蝕機的帶速設定為1.4m/min-1.6?m/min;第二步,通過石蠟打印機將圖形打印到待處理的晶體硅太陽能電池的硅片表面形成掩膜;第三步,通過刻蝕機將已完成圖形打印的硅片進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述晶體硅太陽能電池石蠟掩膜處理方法,其特征在于:所述刻蝕機的帶速為1.5?m/min,所述石蠟打印機的Y軸分辨率為600dpi。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





