[發明專利]小晶粒三維存儲器

有效

• 申請號: 201310091513.3
• 申請日: 2013-03-21
• 公開（公告）號: CN103367365A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 張國飆
• 申請（專利權）人: 成都海存艾匹科技有限公司
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L27/102
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種小晶粒三維存儲器，其特征在于含有：

一含有一半導體襯底(00)的襯底層(50)，該襯底層含有多個有效晶體管(58a、58b)；

至少一疊置在所述襯底層(50)上方且通過多個連接通道孔(51)與所述襯底層耦合的存儲層(60)，該存儲層(60)含有多個存儲元(68a、68b…)，每個存儲元(68a)含有一個特征尺寸(f)不大于40nm的小晶粒二極管(61)，所述小晶粒二極管(61)的晶粒尺寸(G)小于二極管尺寸(D)；

所述存儲層(60)的特征尺寸(f)小于所述襯底層(50)的特征尺寸(F)。

2.根據權利要求1所述的小晶粒三維存儲器，其特征還在于：該小晶粒二極管(61)含有納米晶材料。

3.根據權利要求2所述的小晶粒三維存儲器，其特征還在于：該納米晶材料的晶粒尺寸(G)小于10nm。

4.根據權利要求2所述的小晶粒三維存儲器，其特征還在于：該納米晶材料是非晶材料。

5.根據權利要求1所述的小晶粒三維存儲器，其特征還在于：所述存儲層(60)含有掩膜編程只讀存儲元或電編程存儲元。

6.根據權利要求1所述的小晶粒三維存儲器，其特征在于還含有：至少一疊置在所述存儲層(60)上方的另一存儲層(80)，該存儲層(80)的特征尺寸(f*)小于所述襯底層(50)的特征尺寸(F)。

7.一種非晶多位元三維掩膜編程只讀存儲器，其特征在于含有：

一含有一半導體襯底(00)的襯底層(50)，該襯底層含有多個有效晶體管(58a、58b)；

至少一疊置在所述襯底層(50)上方且通過多個連接通道孔(51)與所述襯底層耦合的存儲層(60)，該存儲層(60)含有多個掩膜編程只讀存儲元(68b、68d…)，每個存儲元存儲的數據大于一位(bit)，每個存儲元含有一個特征尺寸(f)不大于40nm的非晶二極管(61)；

所述存儲層(60)的特征尺寸(f)小于所述襯底層(50)的特征尺寸(F)。

8.根據權利要求7所述的非晶多位元三維掩膜編程只讀存儲器，其特征還在于：至少一所述存儲元(68b)還含有至少一層電阻膜(71)。

9.根據權利要求7所述的非晶多位元三維掩膜編程只讀存儲器，其特征還在于：至少一所述存儲元(68d)還含有至少兩層電阻膜(71、73)。

10.根據權利要求7所述的非晶多位元三維掩膜編程只讀存儲器，其特征在于還含有：至少一疊置在所述存儲層(60)上方的另一存儲層(80)，該存儲層(80)的特征尺寸(f*)小于所述襯底層(50)的特征尺寸(F)。