[發明專利]高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法

無效

• 申請號: 201310088242.6
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN103192085A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 張海礁;趙國剛;張海軍
• 申請（專利權）人: 黑龍江科技學院
• 主分類號: B22F9/16
• 分類號: B22F9/16;B82Y40/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 王艷萍

1.高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法按照以下步驟進行：

一、將鋁片放入石英管中，再將石英管真空密封后，以5～10℃/分的速度升溫到500℃，在500℃保溫1h；

二、取0.8～1.6ml氨水、8～16ml無水乙醇和8～12ml蒸餾水，在室溫條件下攪拌、混合30分鐘，調節pH值為9，得到混合液；

三、將0.1～0.8ml去水山梨糖醇單油酸酯滴入步驟二所得混合液中，在室溫下以150～250轉/分的速度攪拌1h，形成均勻的乳狀懸浮液；

四、將0.1～0.2g高純石墨放入步驟三所得乳狀懸浮液中，攪拌30分鐘，形成均勻的懸浮液；

五、將步驟四所得懸浮液置入水熱反應釜中，懸浮液的加入量為反應釜體積的4/5；

六、將經過步驟一處理的鋁片放入步驟五的水熱反應釜中，密封，在120～180℃條件下保溫12～24h，洗滌水熱反應后的鋁片至洗液的pH值為6～8，干燥，即得納米鋁片陣列。

2.根據權利要求1所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟一中所述鋁片的純度為≥99.5％。

3.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟一中以8℃/分的速度升溫到500℃。

4.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟二中氨水的物質的量的濃度為0.05mol/L。

5.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟二中氨水與無水乙醇的摩爾比為1∶10。

6.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟四中所述高純石墨的純度為99.5％～99.9％，平均粒徑為2μm～5μm。

7.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟六中在130～170℃條件下保溫15～22h。

8.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟六中在140～160℃條件下保溫18～21h。

9.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟六中在150℃條件下保溫20h。

10.根據權利要求1或2所述高純石墨催化條件下納米鋁片陣列的制備方法，其特征在于步驟六中的干燥溫度為60℃。