[發明專利]半導體結構

有效

• 申請號: 201310087323.4
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN103579357A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 余宗瑋;舒芳安;蔡耀州;林冠嶧
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體結構，其特征在于包括：

一柵極，配置于一基板上；

一氧化物通道層，配置于該基板上，且堆疊于該柵極上；

一柵絕緣層，配置于該柵極與該氧化物通道層之間；

一源極，配置于該氧化物通道層的一側；

一漏極，配置于該氧化物通道層的該側，且該源極與該漏極彼此平行配置，其中該氧化物通道層的一部分暴露于該源極與該漏極之間；以及

一介電堆疊層，配置于該基板上，且包括多層具有一第一折射率的第一無機介電層以及多層具有一第二折射率的第二無機介電層，其中上述第一無機介電層與上述第二無機介電層交替堆疊，且至少一該第一無機介電層直接覆蓋該源極、該漏極與該氧化物通道層的該部分，而該第一折射率小于該第二折射率。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中各該第一無機介電層包括一氧化硅層。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于其中該第一折射率介于1.535至1.56之間。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中各該第二無機介電層包括一氮化硅層。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于其中該第二折射率介于1.98至2.08之間。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該介電堆疊層更包括多層具有一第三折射率的第三無機介電層，上述第一無機介電層、上述第二無機介電層以及上述第三無機介電層交替配置。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于其中各該第三無機介電層包括一氮氧化硅層。

8.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于其中該第三折射率介于1.6至1.64之間。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中上述第一無機介電層與上述第二無機介電層的堆疊層數至少為五層。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該第一無機介電層的厚度介于55納米至85納米之間。

11.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該第二無機介電層的厚度介于55納米至85納米之間。

12.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該氧化物通道層的材質包括氧化銦鎵鋅、氧化鋅或氧化銦鋅。

13.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于更包括一透明導電層，配置于該介電堆疊層上，其中該介電堆疊層具有一接觸開口，該透明導電層通過該接觸開口與該漏極電性連接。