[發明專利]PIN超結結構

有效

• 申請號: 201310085640.2
• 申請日: 2013-03-18
• 公開（公告）號: CN103839977B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 張文亮;朱陽軍;盧爍今;胡愛斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;上海聯星電子有限公司;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/73
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種PIN超結結構，其特征在于，包括：

N型柱、P型柱、發射極、基區、發射極金屬層、緩沖層、集電極、集電極金屬層及本征區；

所述N型柱依次通過緩沖層、集電極與集電極金屬層連接；

所述P型柱與所述基區連接；

所述發射極金屬層分別與發射極及基區電學連接；

所述本征區設置在N型柱及P型柱之間；

所述本征區包括N-區域和P-區域，構成N⁺N^-P^-P⁺結構，或，

超結結構，構成N⁺N⁺P⁺P⁺結構。

2.如權利要求1所述的PIN超結結構，其特征在于：

所述N⁺N^-P^-P⁺結構摻雜濃度和區域的寬度受到如下限制：N_P+W_P++N_P-W_P-＝N_N+W_N++N_N-W_N-，其中NP+代表P型柱的摻雜濃度，W_P⁺代表P型柱的寬度；N_P^-代表P^-區域的摻雜濃度，W_P^-代表P^-區域的寬度；N_N^-代表N^-區域的摻雜濃度，WN-代表N^-區域的寬度；N_N⁺代表N型柱的摻雜濃度，W_N⁺代表N型柱的寬度。

3.如權利要求2所述的PIN超結結構，其特征在于：

所述N⁺N^-P^-P結構的每一個基本單元的尺寸為W_P⁺+W_P^-+W_N^-+W_N⁺，所述基本單元的尺寸通過調整W_P^-和W_N^-實現，W_P^-和W_N^-通過調整N_P^-和N_N^-的大小來實現。

4.如權利要求1所述的PIN超結結構，其特征在于：

所述N⁺N⁺P⁺P⁺結構摻雜濃度和區域的寬度受到如下限制：N_P+W_P+＝N_N+W_N+，N′_P+W′_P+＝N′_N+W′_N+，其中，N_P⁺代表P型柱的摻雜濃度，W_P⁺代表P型柱的寬度；N_N⁺代表N型柱的摻雜濃度，W_N⁺代表N型柱的寬度；代表本征區超結結構中N⁺區域的摻雜濃度，代表本征區超結結構中N⁺區域的寬度；代表本征區超結結構中P⁺區域的摻雜濃度，代表本征區超結結構中P⁺區域的寬度。

5.如權利要求4所述的PIN超結結構，其特征在于：

所述N⁺N⁺P⁺P⁺結構的每一個基本單元的尺寸為W_P⁺+W+W_N⁺，W為本征區的寬度，所述基本單元的尺寸通過調整W的寬度實現。