[發(fā)明專利]一種改良柵結構的晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310085224.2
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103178116A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設計）人: 戴明志
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 劉誠午

1.一種改良柵結構的晶體管，包括基底（1）和處在基底（1）上的介質層（3），所述介質層（3）上設有一源區(qū)（5）、一漏區(qū)（6）以及連通在所述源區(qū)（5）和漏區(qū)（6）之間的溝道區(qū)（7），其特征在于，所述溝道區(qū)（7）內設有第一頂柵（4a）作為晶體管的輸出極，其輸出的邏輯值在溝道區(qū)導通時為邏輯1，在溝道區(qū)截斷時為邏輯0；

所述晶體管還設有至少兩個控制溝道區(qū)（7）的輸入極；

其中至少有一個輸入極為第二頂柵（4b）；

還有至少有一個輸入極為第三頂柵（4c）和/或底柵；

所述第二頂柵和第三頂柵均位于所述介質層（3）上，且處在所述溝道區(qū)（7）的旁邊。

2.如權利要求1所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述底柵（2）處在基底（1）和介質層（3）之間或由所述基底（1）兼做。

3.如權利要求2所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述底柵（2）處在基底（1）和介質層（3）之間，所述底柵（2）分布在基底（1）上的局部區(qū)域，基底（1）上開設有與底柵（2）位置相應的容置槽，所述底柵（2）的面積至少能夠與處在溝道區(qū)（7）旁邊的頂柵形成耦合，以控制所述溝道區(qū)（7）。

4.如權利要求1或2或3所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述頂柵為兩個，分別為第一頂柵（4a）和第二頂柵（4b），其中第一頂柵（4a）處在所述溝道區(qū)（7）內，且與源區(qū)（5）和漏區(qū)（6）三者排列形成第一直線，第二頂柵（4b）位于所述第一直線的一側。

5.如權利要求1或2或3所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述頂柵為兩個，分別為第一頂柵（4a）和第二頂柵（4b），其中第一頂柵（4a）處在所述溝道區(qū)（7）內，且與源區(qū)（5）和漏區(qū)（6）三者排列成第一直線，第二頂柵（4b）位于所述第一直線上。

6.如權利要求1或2或3所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述頂柵為三個，分別為第一頂柵（4a）、第二頂柵（4b）和第三頂柵（4c），其中第一頂柵（4a）處在所述溝道區(qū)（7）內，且與源區(qū)（5）和漏區(qū)（6）三者排列成第一直線，第二頂柵（4b）和第三頂柵（4c）分別位于所述第一直線的兩側，或位于所述第一直線的同側。

7.如權利要求6所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述第二頂柵（4b）和第三頂柵（4c）排列成第二直線，且第二直線與第一直線垂直。

8.如權利要求1或2或3所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述頂柵為三個，分別為第一頂柵（4a）、第二頂柵（4b）和第三頂柵（4c），其中第一頂柵（4a）處在所述溝道區(qū)（7）內，且與源區(qū)（5）和漏區(qū)（6）三者排列成第一直線，所述第二頂柵（4b）和第三頂柵（4c）排列成第二直線，且第二直線與第一直線重合或平行。

9.如權利要求1所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，輸入極不包含有底柵，所述頂柵為四個，分別為第一頂柵（4a）、第二頂柵（4b）、第三頂柵（4c）和第四頂柵，其中第二頂柵（4b）、第三頂柵（4c）和第四頂柵均作為輸入極。

10.如權利要求1所述的改良柵結構的晶體管，其特征在于，所述基板與介質層之間設有導電層。