[發(fā)明專利]晶體管以及用于制造該晶體管的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310084170.8
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103579341A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 西尾讓司;河野洋志;鈴木拓馬;清水達(dá)雄;四戶孝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

相關(guān)申請的交叉引用?

本申請基于2012年7月31日提交的在先日本專利申請No.2012-170281并且要求其優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將其全部內(nèi)容并入本文。?

技術(shù)領(lǐng)域

這里描述的實施例總體上涉及一種晶體管以及用于制造該晶體管的方法。?

背景技術(shù)

在晶體管中，減小導(dǎo)通電阻和增大擊穿電壓是很重要的。在基于復(fù)合半導(dǎo)體的晶體管中，使得器件最小化以減小導(dǎo)通電阻。另一方面，器件最小化有可能使得導(dǎo)致?lián)舸╇妷旱臏p小。為了確保擊穿電壓，調(diào)整pn結(jié)部分中的雜質(zhì)濃度。然而，用于調(diào)整的雜質(zhì)濃度可能減小溝道遷移率。這導(dǎo)致了特性惡化，例如開關(guān)速度的減小。在晶體管中，期望特性的改善和穩(wěn)定。?

附圖說明

圖1是示出了根據(jù)第一實施例的晶體管的配置的示意截面圖；?

圖2A至2C示出了基極區(qū)；?

圖3是示出了用于制造晶體管的方法的流程圖；以及?

圖4A至6B是示出了用于制造晶體管的方法的具體示例的示意截面圖。?

發(fā)明內(nèi)容

大體上，根據(jù)一個實施例，一種晶體管，包括：結(jié)構(gòu)體，包括第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)、設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)上的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)、以及設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)上的所述第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)，所述結(jié)構(gòu)體包括具有第一元素和第二元素的復(fù)合半導(dǎo)體；設(shè)置?在所述第二半導(dǎo)體區(qū)上的絕緣膜；設(shè)置在所述絕緣膜上的控制電極；與所述第三半導(dǎo)體區(qū)電連續(xù)的第一電極；以及與所述第一半導(dǎo)體區(qū)電連續(xù)的第二電極。所述結(jié)構(gòu)體具有設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)的下端上的第一區(qū)域以及除了所述第一區(qū)域之外的第二區(qū)域。所述第一區(qū)域是通過使得所述第二元素的氣源的濃度與所述第一元素的氣源的濃度的比率大于1.0形成的區(qū)域。所述第一區(qū)域中所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度高于所述第二區(qū)域中所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度。?

大體上，根據(jù)另一實施例，提供了一種用于制造晶體管的方法。所述方法包括：形成第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)，所述第一半導(dǎo)體區(qū)具有第二區(qū)域和設(shè)置在所述第二區(qū)域上的第一區(qū)域，所述第一半導(dǎo)體區(qū)包括具有第一元素和第二元素的復(fù)合半導(dǎo)體；通過將第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)注入到部分所述第一半導(dǎo)體區(qū)，來形成深于所述第一區(qū)域的下端的所述第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)；通過將所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)注入到部分所述第二半導(dǎo)體區(qū)，來形成所述第一導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體區(qū)；經(jīng)由所述第二半導(dǎo)體區(qū)上的絕緣膜形成控制電極；形成與所述第三半導(dǎo)體區(qū)電連續(xù)的第一電極；以及形成與所述第一半導(dǎo)體區(qū)電連續(xù)的第二電極。形成所述第一半導(dǎo)體區(qū)包括使得所述第一區(qū)域中所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度高于所述第二區(qū)域中所述第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度，并且使得所述第一區(qū)域中所述第一元素的空位的濃度高于所述第二區(qū)域中所述第一元素的空位的濃度。?

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖來描述本發(fā)明的實施例。?

附圖是示意性或概念性的。例如，每個部分的厚度和寬度之間的關(guān)系、以及部分之間的尺寸的比率無需與現(xiàn)實中的相同。此外，根據(jù)附圖可以以不同的尺寸或比率來示出相同的部分。?

在本申請的圖和說明書中，與關(guān)于更早的圖描述的那些部件類似的部件標(biāo)記有類似的附圖標(biāo)記，并且適當(dāng)?shù)厥÷粤似湓敿?xì)描述。?

在以下描述中，通過示例的方式，第一導(dǎo)電類型為n型，而第二導(dǎo)電類型為p型。?

在以下描述中，符號n⁺、n、n^-、p⁺、p和p^-表示每一種導(dǎo)電類型的雜?質(zhì)濃度的相對大小。也就是說，n⁺表示比n相對高的n型雜質(zhì)濃度，且n^-表示比n相對低的n型雜質(zhì)濃度。類似地，p⁺表示比p相對高的p型雜質(zhì)濃度；且p^-表示比p相對低的p型雜質(zhì)濃度。?

（第一實施例）?

圖1是示出了根據(jù)第一實施例的晶體管的配置的示意截面圖。?

如圖1所示，根據(jù)第一實施例的晶體管110包括結(jié)構(gòu)體100、柵極絕緣膜40（絕緣膜）、柵極電極50（控制電極）、源極電極51（第一電極）以及漏極電極52（第二電極）。晶體管110是例如MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。?