[發明專利]晶體管以及用于制造該晶體管的方法

無效

• 申請號: 201310084170.8
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103579341A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 西尾讓司;河野洋志;鈴木拓馬;清水達雄;四戶孝
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種晶體管，包括：

結構體，包括第一導電類型的第一半導體區、設置在所述第一半導體區上的第二導電類型的第二半導體區、以及設置在所述第二半導體區上的所述第一導電類型的第三半導體區，所述結構體包括具有第一元素和第二元素的復合半導體；

設置在所述第二半導體區上的絕緣膜；

設置在所述絕緣膜上的控制電極；

與所述第三半導體區電連續的第一電極；以及

與所述第一半導體區電連續的第二電極，

所述結構體具有設置在所述第二半導體區的下端上的第一區域以及除了所述第一區域之外的第二區域，所述第一區域是通過使得所述第二元素的氣源的濃度與所述第一元素的氣源的濃度的比率大于1.0形成的區域，并且

所述第一區域中所述第一導電類型的雜質濃度高于所述第二區域中所述第一導電類型的雜質濃度。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中

所述第二區域是通過將所述比率設置為1.0形成的區域，并且

所述第一區域是通過將所述比率設置為大于1.0且小于等于2.0形成的區域。

3.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第一元素的空位比所述第二元素的空位更可能與所述第二導電類型的雜質發生反應。

4.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第一半導體區是通過外延生長形成的區域。

5.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第一區域是通過外延生長從所述第二區域連續形成的區域。

6.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第二半導體區的雜質濃度從上端至所述下端增大。

7.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述復合半導體是碳化硅。

8.根據權利要求7所述的晶體管，其中所述第一元素是硅，并且所述第二元素是碳。

9.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述結構體的所述絕緣膜側上的表面是碳化硅的（000-1）表面。

10.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第一區域的厚度是所述第二半導體區的深度的一半或更小。

11.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第一區域的厚度厚于在所述第一半導體區的外延生長中生成的階梯束結構的厚度。

12.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第一區域的厚度為0.5微米或更小。

13.一種用于制造晶體管的方法，包括：

形成第一導電類型的第一半導體區，所述第一半導體區具有第二區域和設置在所述第二區域上的第一區域，所述第一半導體區包括具有第一元素和第二元素的復合半導體；

通過將第二導電類型的雜質注入到部分所述第一半導體區，來形成深于所述第一區域的下端的所述第二導電類型的第二半導體區；

通過將所述第一導電類型的雜質注入到部分所述第二半導體區，來形成所述第一導電類型的第三半導體區；

經由所述第二半導體區上的絕緣膜形成控制電極；

形成與所述第三半導體區電連續的第一電極；以及

形成與所述第一半導體區電連續的第二電極，

形成所述第一半導體區包括使得所述第一區域中所述第一導電類型的雜質濃度高于所述第二區域中所述第一導電類型的雜質濃度，并且使得所述第一區域中所述第一元素的空位的濃度高于所述第二區域中所述第一元素的空位的濃度。

14.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述第一半導體區包括調整所述第一元素和所述第二元素中的每一個氣源的量，使得所述第一區域中所述第二元素的濃度高于所述第二區域中所述第二元素的濃度。

15.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述第一半導體區包括通過外延生長從所述第二區域至所述第一區域連續形成所述第一半導體區。

16.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述第二半導體區包括從上端至下端增大所述第二半導體區的雜質濃度。

17.根據權利要求13所述的方法，其中所述復合半導體是碳化硅。