[發明專利]發光二極管封裝結構以及相關制造方法有效
| 申請號: | 201310084013.7 | 申請日: | 2013-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN103855272B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 謝新賢;黃田昊;吳上義;吳奕均 | 申請(專利權)人: | 聯京光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 封裝 結構 以及 相關 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是有關于一種發光二極體封裝結構及其制造方法,且特別是有關于一種具凹槽結構的發光二極體封裝結構與制造具凹槽結構的發光二極體封裝結構的方法。
背景技術
發光二極管一般需要搭載封裝結構,以應用于不同的電子產品上。針對不同的發光二極管,封裝結構亦須要有對應的設計以發揮發光二極管的效能。舉例來說,若封裝結構僅提供平坦的平面來承載發光二極管,則發光二極管側邊發出的光線便無法被利用而造成浪費。更明確地說,相對于封裝結構提供的平面,發光二極管所發出的光線大致可分為垂直于該平面的光線以及平行于該平面的光線。而為了能利用平行于封裝結構平面的光線,在先前技術中,一般是在封裝結構上設置凹槽,并在凹槽中涂上反射層,然后將發光二極管置入該凹槽。如此發光二極管射出平行于封裝結構平面的光線便能通過涂布在凹槽內壁上的反射層反射,并由封裝結構平面射出,而能夠提升光萃取效率。
然而,在先前技術中的封裝結構所使用的基板一般是以塑料材質制成來降低成本,但是如此材質的散熱性能較差。在當搭載的發光二極管是屬于高功率的發光二極管時,此類的封裝結構將無法有效地將發光二極管產生的熱能散出,造成整體溫度上升,最后導致熱崩潰的情況。因此,先前技術改以陶瓷基板或硅基板來取代塑料基板來解決散熱問題。然而陶瓷基板雖然能有效散熱,但是其成本太高。硅基板則由于制程因素,無法有效降低其凹槽的尺寸來對應發光二極管的尺寸。
發明內容
本發明提供一種發光二極管封裝結構。該發光二極管結構包括一金屬基板;一絕緣層,位于該基板上方;一線路層,位于該絕緣層上方;一凹槽結構,該凹槽結構設置于該金屬基板上;一反射層,設置于該凹槽結構的一第一表面上;以及一發光二極管,設置于該凹槽結構中。
本發明另提供一種發光二極管封裝結構的制造方法。該制造方法包括(a)提供一金屬基板;(b)形成一絕緣層于該基板上;(c)形成一線路層于該絕緣層上;(d)于該金屬基板上形成一凹槽結構;(e)形成一反射層,于該凹槽結構的一第一表面上;及(f)設置一發光二極管于該凹槽結構內。
為讓本發明的上述目的、特征和優點更能明顯易懂,下文將以實施例并配合所附圖示,作詳細說明如下。
附圖說明
圖1所示說明本發明的第一實施例的發光二極管封裝結構的示意圖。
圖2所示說明本發明的第一實施例的發光二極管封裝結構的制造方法的流程圖。
圖3A至圖3G所示說明本發明的第一實施例的發光二極管封裝結構的制造方法的流程圖。
圖4所示說明本發明的第二實施例的發光二極管封裝結構的示意圖。
圖5所示說明本發明的第二實施例的發光二極管封裝結構的制造方法的流程圖。
圖6A至6H所示說明本發明的第二實施例的發光二極管封裝結構的制造方法的流程圖。
圖7說明本發明的第三實施例的發光二極管封裝結構的示意圖。
具體實施方式
請參照圖1,圖1說明本發明的第一實施例的發光二極管封裝結構100的示意圖。發光二極管封裝結構100包括:基板101、絕緣層102、線路層103、凹槽結構104、反射層105、發光二極管106、透光封裝膠體107、以及導線108。在本實施例中,透光封裝膠體107為半圓球形,但也可將其設計成其他形狀,不限于半圓球形。在本實施例中,基板101的材質為銅,但也可使用鋁或其他金屬材質及其合金,以提升散熱效率。基板101的表面涂布絕緣層102與線路層103。在本實施例中,凹槽結構104設置于基板101的平面101S上并圍繞發光二極管106,但凹槽結構104并不限于設置在101平面上,亦可制作于絕緣層102上。反射層105設置在凹槽結構104的第一表面104S上,用來反射發光二極管106所發出的光線(如圖1中虛線所示)。反射層105為具高反射性之金屬如鋁或銀或是介電材料等。發光二極管106通過導線108連接線路層103以接收電源來發光。透光封裝膠體107用來覆蓋發光二極管106并導引發光二極管106所射出的光線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聯京光電股份有限公司,未經聯京光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310084013.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





