[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)以及相關制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310084013.7
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN103855272B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 謝新賢;黃田昊;吳上義;吳奕均
• 申請（專利權）人: 聯(lián)京光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)11369
• 代理人: 史霞

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一金屬基板；

一絕緣層，位于該金屬基板上方；

一線路層，位于該絕緣層上方；

一凹槽結(jié)構(gòu)，該凹槽結(jié)構(gòu)設置于該金屬基板上；

一反射層，設置于該凹槽結(jié)構(gòu)的一第一表面上；以及

一發(fā)光二極管，設置于該凹槽結(jié)構(gòu)中，且該發(fā)光二極管與該線路層電性連接。

2.如權利要求1所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹槽結(jié)構(gòu)為一光阻層。

3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬基板具有一平面，該凹槽結(jié)構(gòu)設置于該平面上。

4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，于該金屬基板上形成有一凹槽，該凹槽結(jié)構(gòu)的下半部分是設置于該凹槽中。

5.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹槽是通過蝕刻該金屬基板而形成。

6.如權利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹槽是通過沖壓該金屬基板而形成。

7.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬基板上形成有一凹槽，該凹槽結(jié)構(gòu)設置于該凹槽的周圍，且該反射層是設置于該凹槽結(jié)構(gòu)的該第一表面與該凹槽的表面上。

8.如權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凹槽結(jié)構(gòu)的該第一表面與該凹槽的表面相連接。

9.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一透光封裝膠體，覆蓋該于該發(fā)光二極管上。

10.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬基板為鋁、銅或其合金。

11.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

(a)提供一金屬基板；

(b)形成一絕緣層于該基板上；

(c)形成一線路層于該絕緣層上；

(d)于該金屬基板上形成一凹槽結(jié)構(gòu)；

(e)形成一反射層，于該凹槽結(jié)構(gòu)的一第一表面上；及

(f)設置一發(fā)光二極管于該凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)。

12.如權利要求11所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包括一光阻層曝光顯影制程以形成該凹槽結(jié)構(gòu)。

13.如權利要求11所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包括于該金屬基板上形成一凹槽。

14.如權利要求13所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包括形成一凹槽結(jié)構(gòu)于該凹槽上。

15.如權利要求13所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該凹槽是通過沖壓該金屬基板的方式形成。

16.如權利要求13所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該凹槽是通過蝕刻該金屬基板的方式形成。

17.如權利要求11所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包含形成丨凹槽結(jié)構(gòu)于一平面基板上。

18.如權利要求13所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包含形成一凹槽結(jié)構(gòu)于該凹槽的周圍。

19.如權利要求13所述的制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包括形成一反射層于該凹槽與凹槽結(jié)構(gòu)之第一表面上。