[發明專利]形成金屬墊的方法有效
| 申請號: | 201310082001.0 | 申請日: | 2013-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN103219254A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 闞歡;魏芳;張旭升 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 金屬 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,尤其涉及一種形成金屬墊的方法。
背景技術
目前,在集成電路制造工藝中,通常采用金屬墊提供外部電路與集成電路內部的電路連接,即外部電路通過制備的金屬墊和形成在介電層中的金屬栓連接,以與集成電路內部的電路形成電連接。
由于傳統工藝中制備的金屬墊結構易受到機械或熱應力的影響,進而導致在導電線(外部電路)與金屬墊之間的界面和金屬墊與相鄰層間的電介質之間的材料界面上均會產生分離或開裂現象,造成在進行制造工藝過程中產生如凹陷等缺陷,嚴重影響器件的性能,降低了產品的良率。
中國專利(公開號:CN101335225A)公開了一種金屬墊片形成方法及金屬墊片結構,通過將較寬的第一墊片金屬與第一金屬同時形成后,于第一墊片金屬及第一金屬上形成介電層,再在介電層中形成第一開口以及第二開口以分別露出第一金屬以及第一墊片金屬,最后形成覆蓋第一墊片金屬的第二墊片金屬,進而產生金屬墊片,以避免保護層裂痕以及金屬橋接問題。采用該技術文獻制備的金屬墊片同樣存在著導電線與金屬墊之間的界面和金屬墊與相鄰層間的電介質之間的材料界面上產生分離或開裂現象的隱患。
中國專利(公開號:CN101014789A)公開了一種金屬墊片的制作方法,通過采用具有低溫時效硬化特性的金屬板進行的金屬墊片制備,且在進行制備工藝中在低于上述低溫時效硬化溫度的條件下,將低涂料于金屬板上干燥,并對金屬板上的環形凸筋進行沖壓加工;最后,在基板的金屬板的低溫時效硬化溫度下,煅燒低涂料的同時,將金屬板時效硬化,使得制造出的金屬墊片的環形凸筋即使變形也較難蠕變。采用該技術文獻制備的金屬墊片同樣存在著導電線與金屬墊之間的界面和金屬墊與相鄰層間的電介質之間的材料界面上產生分離或開裂現象的隱患
發明內容
針對上述存在的問題,本發明公開了一種形成金屬墊的方法,其中,包括:
根據工藝需求,制備一具有金屬墊圖形的版圖;
于所述金屬墊圖形中插入設定圖形;
輸出金屬墊版圖。
上述的形成金屬墊的方法,其中,所述金屬墊版圖中包括有穿孔圖形;
輸出所述金屬墊版圖后,去除無用的所述穿孔圖形,并根據去除過無用的穿孔圖形后的金屬墊版圖制備金屬墊。
采用所述金屬墊版圖制備金屬墊。
上述的形成金屬墊的方法,其中,無用的所述穿孔圖形為不與所述金屬墊圖形有電路連接關系的穿孔圖形。
上述的形成金屬墊的方法,其中,所述金屬墊圖形還包括各層的實心金屬塊圖形。
上述的形成金屬墊的方法,其中,所述設定圖形為一個或多個矩形或多邊形。
上述的形成金屬墊的方法,其中,所述設定圖形的面積小于所述金屬墊圖形的面積的80%。
上述的形成金屬墊的方法,其中,于所述金屬墊圖形中插入設定圖形前,先根據工藝需求對金屬墊圖形進行篩選;
當所述金屬墊圖形符合工藝需求時,才于篩選出的金屬墊圖形中插入設定圖形。
上述的形成金屬墊的方法,其中,所述版圖上包括一個或多個金屬墊圖形。
綜上所述,本發明一種形成金屬墊的方法,通過在具有金屬墊圖形的版圖設計完成后,在該版圖的金屬墊圖形中插入設定圖形,并進行邏輯運算,以最終產生帶設定圖形結構的金屬墊,從而能在金屬墊受到機械或熱應力時,有效避免在導電線與金屬墊之間的界面和金屬墊與相鄰層間的電介質之間的材料界面上產生的分離或開裂現象,大大減少在進行制造工藝過程中產生如凹陷等缺陷,提高了器件的性能,增大了產品的良率。
附圖說明
圖1為實施例中形成金屬墊的方法的流程示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的具體實施方式作進一步的說明:
圖1為實施例中形成金屬墊的方法的流程示意圖;如圖1-4所示,一種形成金屬墊的方法,主要應用于如Logic、Memory、RF、HV、Analog/Power等平臺上,首先,根據工藝需求,制備具有一個或多個金屬墊圖形的版圖,且該版圖多個穿孔圖形;其中,該金屬墊圖形包括各層的實心金屬塊圖形和多個穿孔圖形
其次,繼續根據工藝設計的需求(如金屬墊圖形面積、大小等),對金屬墊圖形進行篩選,且在被篩選出的金屬墊圖形中插入設定圖形如一個或多個矩形或多邊形等,如在一種典型的槽形金屬墊結構中,通過在60um×60um的實心金屬墊中挖除200個1um×3um矩形結構圖形的金屬,形成200個1um×3um矩形溝槽,且該200個矩形溝槽均勻分布在上述的實心金屬墊中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





