[發明專利]形成金屬墊的方法有效
| 申請號: | 201310082001.0 | 申請日: | 2013-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN103219254A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 闞歡;魏芳;張旭升 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 金屬 方法 | ||
1.一種形成金屬墊的方法,其特征在于,包括:
根據工藝需求,制備一具有金屬墊圖形的版圖;
于所述金屬墊圖形中插入設定圖形;
輸出金屬墊版圖。
2.根據權利要求1所述的形成金屬墊的方法,其特征在于,所述金屬墊版圖中包括有穿孔圖形;
輸出所述金屬墊版圖后,去除無用的所述穿孔圖形,并根據去除過無用的穿孔圖形后的金屬墊版圖制備金屬墊。
3.根據權利要求2所述的形成金屬墊的方法,其特征在于,無用的所述穿孔圖形為不與所述金屬墊圖形有電路連接關系的穿孔圖形。
4.根據權利要求1所述的形成金屬墊的方法,其特征在于,所述金屬墊圖形還包括各層的實心金屬塊圖形。
5.根據權利要求1所述的形成金屬墊的方法,其特征在于,所述設定圖形為一個或多個矩形或多邊形。
6.根據權利要求1所述的形成金屬墊的方法,其特征在于,所述設定圖形的面積小于所述金屬墊圖形的面積的80%。
7.根據權利要求1所述的形成金屬墊的方法,其特征在于,于所述金屬墊圖形中插入設定圖形前,先根據工藝需求對金屬墊圖形進行篩選;
當所述金屬墊圖形符合工藝需求時,才于篩選出的金屬墊圖形中插入設定圖形。
8.根據權利要求1所述的形成金屬墊的方法,其特征在于,所述版圖上包括一個或多個金屬墊圖形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





