[發明專利]一種U型溝槽的制造方法

有效

• 申請號: 201310081961.5
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN103178014A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 景旭斌;李芳;劉文燕
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/762
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種U型硅溝槽的制造方法，應用于具有多晶硅柵極的半導體結構上，所述半導體結構包括硅基板和多個多晶硅柵極，所述多晶硅柵極位于所述硅基板的上表面，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、沉積一層氧化硅層覆蓋所述多晶硅柵極表面及所述硅基板暴露的上表面，去除位于所述硅基板暴露上表面的氧化硅層，于所述多晶硅柵極的表面形成阻擋層；

步驟S2、進行圖形化離子注入工藝，于所述硅基板中形成多個摻雜硅區；

步驟S3、刻蝕所述摻雜硅區，形成U型硅溝槽后，去除所述阻擋層。

2.根據權利要求1所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，所述步驟S1中氧化硅層為二氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，所述步驟S1中氧化硅層沉積厚度為200A-600A。

4.根據權利要求1所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，所述步驟S2中的圖形化離子注入工藝包括以下步驟：

1）涂覆一層光刻膠覆蓋所述硅基板暴露的上表面及所述阻擋層的表面；

2）曝光、顯影后，去除多余的所述光刻膠，形成光阻，所述光阻覆蓋部分多晶硅柵極表面的阻擋層及部分硅基板的上表面；

3）以所述光阻為掩膜，對所述硅基板暴露的部分進行離子注入工藝，于所述硅基板內形成多個摻雜硅區后，去除所述掩膜。

5.根據權利要求4所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，所述離子的注入量大于1E15atom/cm²。

6.根據權利要求4所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，注入的所述離子為Ge，As，P或B。

7.根據權利要求4所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除所述掩膜。

8.根據權利要求1所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，所述步驟S3中采用熱磷酸進行濕法刻蝕去除所述摻雜硅區。

9.根據權利要求1所述的一種U型硅溝槽的制造方法，其特征在于，所述步驟S3中采用氫氟酸進行濕法刻蝕去除所述阻擋層。