[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請號: 201310081042.8
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN103367203A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 桝原弘史;新居健一郎;宮城雅宏;遠藤亨
• 申請（專利權）人: 大日本網屏制造株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 金相允;向勇

技術領域

本發明涉及一種處理基板的基板處理裝置及基板處理方法。

背景技術

以往，在半導體基板（下面，簡稱為“基板”）的制造工序中，利用基板處理裝置，對基板實施各種各樣的處理。例如，通過向在表面上形成有抗蝕膜圖案的基板供給藥液，來對基板的表面進行蝕刻等的處理。另外，在蝕刻處理結束之后，還進行去除基板上的抗蝕膜的處理，或者進行清洗基板的處理。

日本特開2008-85150號公報（文獻1）涉及一種對形成有微細圖案的基板進行清洗的方法。在文獻1的清洗裝置中，通過將設置有基板的密封罩內抽吸成真空，來對基板進行脫氣，由此改善基板表面的潤濕性。接著，通過向密封罩內供給藥液，將基板整體浸漬到藥液中。然后，在將密封罩內的氣壓恢復成常壓并取下密封罩之后，開始使基板旋轉，并且通過向基板上供給藥液來進行清洗處理等。在該清洗裝置中，通過改善基板表面的潤濕性，來使清洗液與微細圖案凹部充分地接觸。另外，在該清洗裝置中，通過在將基板浸漬在清洗液內的狀態下對基板進行加壓，還使得清洗液滲透到微細圖案凹部內。

在日本特開2005-191251號公報（文獻2）中公開了如下的裝置：通過在加壓環境（pressurized?atmosphere）下，對配置在加壓腔室內的晶片供給蒸氣等，在使水分滲透到晶片上表面上的廢渣上之后，通過在常壓或減壓環境（reduced?pressure?atmosphere）下供給溫水等，來去除上表面上的廢渣。另外，在日本特開平6-283413號公報（文獻3）的半導體晶片顯影裝置中，通過在使容置有半導體晶片的處理室內處于減壓環境的狀態下，打開顯影液供給閥，來將顯影液填充到處理室內。然后，在通過將半導體晶片浸漬到顯影液內，來進行半導體晶片的顯影處理。

在日本專利第3099053號公報（文獻4）的成膜裝置中，在腔室內，在晶片的上方設置有處理氣體供給部，在晶片的下方設置有紅外線燈。然后，在腔室內處于真空環境的狀態下，通過一邊對晶片進行加熱一邊供給處理氣體，來在晶片的表面形成薄膜。另外，在日本特開平9-246156號公報（文獻5）的裝置中，在利用沖洗液沖洗掉晶片上的顯影液等之后，在減壓環境下，使晶片高速旋轉，來干燥晶片。

另一方面，在日本特開平3-22428號公報（文獻6）的半導體制造裝置中，公開了如下的技術：通過使向基板滴下藥液的藥液噴嘴在旋轉中的基板上沿著徑向直線移動，來使對基板的中央部和外周部滴下的藥液的滴下量均勻化。

在文獻1的清洗裝置中，通過在常壓下，向旋轉中的基板的中央部供給清洗液，清洗液借助離心力來向基板的外周部擴散，來進行基板的清洗處理。在該清洗裝置中，在清洗液從基板的中央部向外周部移動時，清洗液的一部分被汽化，因汽化熱導致基板的溫度下降。因此，安裝從基板的中央部到外周部的方向，基板的溫度變低，從而會導致在從基板的中央部到外周部上清洗處理變得不均勻等。

另一方面，在文獻6的制造裝置中，由于在常壓下，在旋轉中的基板的上方，一邊使藥液噴嘴移動一邊噴出藥液，所以基板在中央部和外周部的溫度不產生很大的差異，但由于需要用于使藥液噴嘴移動的機構，所以若對在腔室內處理基板的裝置應用該結構，則會導致腔室及裝置整體大型化。

發明內容

本發明提供一種處理基板的基板處理裝置，其目的在于，提高在利用處理液進行處理時的基板的主表面溫度的均勻性。

本發明的基板處理裝置具有：基板保持部，其在使基板的主表面朝向上側的狀態下保持所述基板；處理液供給部，其向所述基板的所述主表面的中央部供給處理液；基板旋轉機構，其使所述基板與所述基板保持部一起旋轉；腔室，其在內部空間容置所述基板保持部；壓力變更部，其變更所述腔室的所述內部空間的壓力；控制部，其通過對所述處理液供給部、所述基板旋轉機構及所述壓力變更部進行控制，來在使所述腔室的所述內部空間處于加壓環境（pressurized?atmosphere）的狀態下，一邊使所述基板旋轉，一邊向所述主表面的所述中央部連續地供給所述處理液，來進行規定的處理。根據該基板處理裝置，能夠提高在利用處理液進行處理時的基板的主表面的溫度的均勻性。

在本發明的一個優選的實施方式中，該基板處理裝置還具有對所述基板進行加熱的加熱部；通過利用所述控制部對所述壓力變更部及所述加熱部進行控制，在使所述腔室的所述內部空間處于減壓環境的狀態下對所述基板進行加熱。

更優選地，所述加熱部通過向所述基板照射光，來對所述基板進行加熱。