[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310081042.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103367203A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 桝原弘史;新居健一郎;宮城雅宏;遠(yuǎn)藤亨 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
| 地址: | 日本國(guó)京*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,用于處理基板,其特征在于,具有:
基板保持部,其在使基板的主表面朝向上側(cè)的狀態(tài)下保持所述基板;
處理液供給部,其向所述基板的所述主表面的中央部供給處理液;
基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),其使所述基板與所述基板保持部一起旋轉(zhuǎn);
腔室,其在內(nèi)部空間容置所述基板保持部;
壓力變更部,其變更所述腔室的所述內(nèi)部空間的壓力;
控制部,其通過(guò)對(duì)所述處理液供給部、所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)及所述壓力變更部進(jìn)行控制,在使所述腔室的所述內(nèi)部空間處于加壓環(huán)境的狀態(tài)下,一邊使所述基板旋轉(zhuǎn),一邊向所述主表面的所述中央部連續(xù)地供給所述處理液,來(lái)進(jìn)行規(guī)定的處理。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
該基板處理裝置還具有對(duì)所述基板進(jìn)行加熱的加熱部;
通過(guò)利用所述控制部對(duì)所述壓力變更部及所述加熱部進(jìn)行控制,在使所述腔室的所述內(nèi)部空間處于減壓環(huán)境的狀態(tài)下對(duì)所述基板進(jìn)行加熱。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,所述加熱部通過(guò)向所述基板照射光,來(lái)對(duì)所述基板進(jìn)行加熱。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于,通過(guò)
利用所述控制部對(duì)所述壓力變更部及所述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制,在使所述腔室的所述內(nèi)部空間處于減壓環(huán)境的狀態(tài)下使所述基板旋轉(zhuǎn)來(lái)對(duì)所述基板進(jìn)行干燥。
5.一種基板處理方法,用于處理基板,其特征在于,包括:
(a)工序,在腔室的內(nèi)部空間內(nèi),在使基板的主表面朝向上側(cè)的狀態(tài)下保持所述基板,
(b)工序,在使所述腔室的所述內(nèi)部空間處于加壓環(huán)境的狀態(tài)下,一邊使所述基板旋轉(zhuǎn),一邊向所述主表面的中央部連續(xù)地供給處理液,來(lái)進(jìn)行規(guī)定的處理。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理方法,其特征在于,所述基板處理方法還具有(c)工序,在所述(b)工序之前,在使所述腔室的所述內(nèi)部空間處于減壓環(huán)境的狀態(tài)下,對(duì)所述基板進(jìn)行加熱。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法,其特征在于,在所述(c)工序中,通過(guò)向所述基板照射光,來(lái)對(duì)所述基板進(jìn)行加熱。
8.如權(quán)利要求5~7中任一項(xiàng)所述的基板處理方法,其特征在于,所述基板處理方法還具有(d)工序,在所述(b)工序之后,在使所述腔室的所述內(nèi)部空間處于減壓環(huán)境的狀態(tài)下使所述基板旋轉(zhuǎn)來(lái)對(duì)所述基板進(jìn)行干燥。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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