[發明專利]制造外延涂覆半導體晶片的裝置和方法

無效

• 申請號: 201310080898.3
• 申請日: 2007-10-30
• 公開（公告）號: CN103173854A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: R·紹爾;N·維爾納
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B25/12;H01L21/205
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李振東;過曉東

1.用于在外延反應器內通過化學氣相沉積法于半導體晶片的正面上沉積一層時支撐該半導體晶片的裝置，其包括具有透氣性結構的基座以及位于該基座上的用作該基座與所支撐的半導體晶片之間的熱緩沖器的環。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，位于所述基座上的環由碳化硅構成。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，位于所述基座上的環由用碳化硅涂覆的石墨構成。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，位于所述基座上的環由在1000℃的溫度下的熱導率為5至100W/m·K的材料構成。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，位于所述基座上的環由在1000℃的溫度下的熱導率為5至50W/m·K的材料構成。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，位于所述基座上的環由在1000℃的溫度下的熱導率為10至30W/m·K的材料構成。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述基座及所述環的尺寸被設計為用于接收直徑選自150毫米、200毫米、300毫米及450毫米的半導體晶片。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述基座及所述環被設計為所述環的內徑小于所述半導體晶片的直徑。

9.根據權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述環在其內徑方向上具有寬度為5至15毫米且深度為0.3至0.7毫米的環狀凹槽。

10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述環的厚度為0.5至1.5毫米。

11.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述基座的孔隙率至少為15％且密度為0.5至1.5g/cm³。

12.用于制造經外延涂覆的半導體晶片的方法，其中制備多個至少在其正面上拋光的半導體晶片，并且均依次單獨通過化學氣相沉積法在外延反應器內于800至1200℃的溫度下將外延層施加到其經拋光的正面上而通過以下步驟進行涂覆：分別將一片所制備的半導體晶片支撐在根據權利要求1至11之一所述的裝置上，從而使該半導體晶片位于該環上，該半導體晶片的背面朝向具有透氣性結構的基座的底部，但是不接觸該基座，從而通過氣體擴散使氣態物質從該半導體晶片的背面上方的區域透過該基座導入該基座的背面上方的區域內，此外該半導體晶片僅在其背面的邊緣區域內與該環相接觸，在該半導體晶片內完全不會產生利用光彈性應力測量法（“SIRD”）可測的應力。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所制備的半導體晶片是單晶硅晶片。

14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在外延涂覆p+摻雜的硅晶片時選擇1140至1180℃的沉積溫度。

15.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在外延涂覆p–摻雜的硅晶片時選擇1100至1150℃的沉積溫度。