[發明專利]晶體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201310080497.8
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103312289A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 水澤周一;高橋岳寬
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/19;H03H3/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明涉及一種晶體裝置(quartz?crystal?device)及該晶體裝置的制造方法，所述晶體裝置具有對晶體基板進行濕式蝕刻(wet?etching)而形成的晶體振動片、以及對晶體基板進行濕式蝕刻而形成的基底板(base?plate)。

背景技術

表面安裝用的晶體裝置較佳為能夠一次性大量地制造。專利文獻1所示的晶體裝置是：將形成有多個晶體振動片的晶體晶片(quartz-crystal?wafer)夾入蓋晶片(lid?wafer)及基底晶片(base?wafer)而制造，所述蓋晶片及基底晶片為與晶體晶片相同的形狀且包含玻璃(glass)材料。而且，專利文獻1的晶體裝置的制造方法中，通過在蓋晶片及基底晶片上形成貫穿孔，從而在晶體裝置的四角(城堡形結構(castellation))形成側面配線，所述側面配線電性連接晶體振動片的激振電極與外部端子。以晶片為單位而制造的晶體裝置被個別地切割(dicing)以至完成。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2006-148758號公報

但是，晶體晶片與包含玻璃材料的蓋晶片或基底晶片的熱膨脹率不同，因此無法在熱變動大的環境下使用晶體裝置。另一方面，若將蓋晶片或基底晶片設為晶體材料，則對于在蓋晶片及基底晶片上形成的貫穿孔而言，因晶體的異向性，濕式蝕刻速度視軸方向而不同，從而貫穿孔的大小在軸方向上不同。因此，無法在自晶體裝置的中心算起為相同距離的位置處形成城堡形結構。而且，由于貫穿孔的大小在軸方向上不同，因此在從接合的晶片切割各個晶體裝置時，形成于城堡形結構的側面配線有時會被削除。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種晶體裝置及晶體裝置的制造方法，即使在使用采用晶體材料的基底晶片的情況下，也可在從基底板的中心算起的相等的距離處形成城堡形結構。

第1觀點的晶體裝置的制造方法是使用多個矩形狀的基底板與沿該基底板的X軸方向形成有至少1對貫穿孔的AT切割的基底晶片，來制造具有晶體振動片及基底板的晶體裝置，所述晶體裝置的制造方法包括：耐蝕膜形成工序，在基底晶片的第1面與該第1面的相反側的第2面上形成耐蝕膜；曝光工序，在耐蝕膜上形成光致抗蝕劑(photo?resist)，并對與貫穿孔對應的位置的第1面及第2面的光致抗蝕劑進行曝光；耐蝕膜蝕刻工序，對第1面及第2面的與貫穿孔對應的耐蝕膜進行蝕刻；以及濕式蝕刻工序，在耐蝕膜蝕刻工序后，從第1面及第2面對一對貫穿孔進行濕式蝕刻。通過濕式蝕刻而形成的、連結第1面與第2面的貫穿孔的+X軸側的剖面具有從第1面形成至剖面中央側的第1斜面、從第2面形成至剖面中央側的第2斜面、以及第1斜面與第2斜面交叉的第1頂部。-X軸側的剖面具有從第1面形成至剖面中央側的第3斜面、從第2面形成至剖面中央側的第4斜面、以及連結第3斜面與第4斜面的第2頂部，曝光工序中，以從基底板的X軸方向的中心直至第1頂部為止的距離、與從基底板的X軸方向的中心直至第2頂部為止的距離相同的方式，來對與貫穿孔對應的位置的第1面及第2面進行曝光。

第2觀點的晶體裝置的制造方法是在第1觀點中，曝光工序中，以第1面的從基底板的X軸方向的中心直至+X軸側的貫穿孔為止的距離短于第2面的方式，來對光致抗蝕劑進行曝光。

第3觀點的晶體裝置的制造方法是在第1觀點中，曝光工序中，以下述方式來對光致抗蝕劑進行曝光，即，在第1面上，從基底板的中心直至+X軸側的貫穿孔為止的距離、與從基底板的中心直至-X軸側的貫穿孔為止的距離相同，且在第2面上，從基底板的中心直至+X軸側的貫穿孔為止的距離短于從基底板的中心直至-X軸側的貫穿孔為止的距離。

第4觀點的晶體裝置的制造方法是在第1觀點中，曝光工序中，以下述方式來對光致抗蝕劑進行曝光，即，在第1面上，從基底板的中心直至+X軸側的貫穿孔為止的距離短于從基底板的中心直至-X軸側的貫穿孔為止的距離，且在第2面上，從基底板的中心直至+X軸側的貫穿孔為止的距離短于從基底板的中心直至-X軸側的貫穿孔為止的距離。