[發(fā)明專利]晶體裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310080497.8 | 申請日： | 2013-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN103312289A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 水澤周一;高橋岳寬 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本電波工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H03H9/02 | 分類號： | H03H9/02;H03H9/19;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本東京涉谷區(qū)笹*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種晶體裝置的制造方法，使用多個矩形狀的基底板與沿所述基底板的X軸方向形成有至少1對貫穿孔的AT切割的基底晶片，來制造具有晶體振動片及所述基底板的晶體裝置，所述晶體裝置的制造方法的特征在于包括：
耐蝕膜形成工序，在所述基底晶片的第1面與所述第1面的相反側(cè)的第2面上形成耐蝕膜；
曝光工序，于所述耐蝕膜上形成光致抗蝕劑，對與所述貫穿孔對應(yīng)的位置的所述第1面及所述第2面的所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光；
耐蝕膜蝕刻工序，對所述第1面及所述第2面的與所述貫穿孔對應(yīng)的所述耐蝕膜進(jìn)行蝕刻；以及
濕式蝕刻工序，在所述耐蝕膜蝕刻工序后，從所述第1面及第2面對所述一對貫穿孔進(jìn)行濕式蝕刻，
通過所述濕式蝕刻而形成的、連結(jié)所述第1面與所述第2面的所述貫穿孔的+X軸側(cè)的剖面具有：從所述第1面形成至剖面中央側(cè)的第1斜面、從所述第2面形成至所述剖面中央側(cè)的第2斜面、以及所述第1斜面與所述第2斜面交叉的第1頂部，-X軸側(cè)的剖面具有：從所述第1面形成至剖面中央側(cè)的第3斜面、從所述第2面形成至所述剖面中央側(cè)的第4斜面、以及連結(jié)所述第3斜面與所述第4斜面的第2頂部，
所述曝光工序中，以從所述基底板的X軸方向的中心直至所述第1頂部為止的距離、與從所述基底板的X軸方向的中心直至所述第2頂部為止的距離相同的方式，來對與所述貫穿孔對應(yīng)的位置的所述第1面及所述第2面進(jìn)行曝光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體裝置的制造方法，其特征在于，
所述曝光工序中，使從所述基底板的中心直至+X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離，以所述第1面短于所述第2面的方式，來對所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體裝置的制造方法，其特征在于，
所述曝光工序中，對所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光，
在所述第1面上，從所述基底板的中心直至+X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離、與從所述基底板的中心直至-X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離為相同，且
在所述第2面上，從所述基底板的中心直至+X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離短于從所述基底板的中心直至-X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體裝置的制造方法，其特征在于，
所述曝光工序中，對所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光，
在所述第1面上，從所述基底板的中心直至+X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離短于從所述基底板的中心直至-X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離，且
在所述第2面上，從所述基底板的中心直至+X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離短于從所述基底板的中心直至-X軸側(cè)的所述貫穿孔為止的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的晶體裝置的制造方法，其特征在于，
所述晶體振動片為矩形狀的AT切割晶體片，
所述晶體裝置的制造方法包括：
接合工序，將沿所述AT切割晶體片的X軸方向形成有至少1對貫穿孔的晶體振動片晶片與所述基底晶片予以接合，
且所述晶體裝置的制造方法包括：
耐蝕膜形成工序，在所述晶體振動片晶片的第1面與所述第1面的相反側(cè)的第2面上形成耐蝕膜；
曝光工序，在所述耐蝕膜上形成光致抗蝕劑，對與所述貫穿孔對應(yīng)的位置的所述第1面及所述第2面的所述光致抗蝕劑進(jìn)行曝光；
耐蝕膜蝕刻工序，對所述第1面及所述第2面的與所述貫穿孔對應(yīng)的所述耐蝕膜進(jìn)行蝕刻；以及
濕式蝕刻工序，在所述耐蝕膜蝕刻工序后，從所述第1面及第2面對所述一對貫穿孔進(jìn)行濕式蝕刻，
通過所述濕式蝕刻而形成的、連結(jié)所述第1面與所述第2面的所述貫穿孔的+X軸側(cè)的剖面具有：從所述第1面形成至剖面中央側(cè)的第1斜面、從所述第2面形成至所述剖面中央側(cè)的第2斜面、以及所述第1斜面與所述第2斜面交叉的第1頂部，-X軸側(cè)的剖面具有：從所述第1面形成至剖面中央側(cè)的第3斜面、從所述第2面形成至所述剖面中央側(cè)的第4斜面、以及連結(jié)所述第3斜面與所述第4斜面的第2頂部，
所述曝光工序中，以從所述AT切割晶體片的中心直至所述第1頂部為止的距離、與從所述AT切割晶體片的中心直至所述第2頂部為止的距離相同的方式，來對與所述貫穿孔對應(yīng)的位置的所述第1面及所述第2面進(jìn)行曝光。
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