[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板、顯示裝置及方法

無效

• 申請號: 201310080482.1
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103149764A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 胡偉;莫再隆;石天雷
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板、顯示裝置及方法。

背景技術

TFT-LCD，即薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，簡稱TFT）液晶顯示器（Liquid?Crystal?Display，簡稱LCD）基本結構包括陣列基板（Array?Substrate）和彩膜基板（CF?Substrate），以及充滿在兩片基板之間的液晶層（LC），在陣列基板和彩膜基板表面有對液晶具有取向作用的聚酰亞胺膜層（配向膜層）（Polyimide?film，簡稱：PIfilm）。陣列基板包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極。現有的顯示基板制造技術中，陣列基板上依次沉積柵電極、柵絕緣層、有源層、像素電極、源漏電極、第二絕緣層、公共電極，形成薄膜晶體管結構，并通過控制像素電極與公共電極形成的電勢差，實現水平電場驅動。

對于現有顯示基板制造技術，1^st透明導電薄膜作為像素電極，梳狀2^nd透明導電薄膜作為公共電極，梳狀2^nd透明導電薄膜的各個slit間形成空隙，在左右條狀電極的共同作用下，上述水平電場在空隙中間區域變得很小，縱向噪聲電場變得較大，水平電場對液晶的取向能力變得很弱，在白態畫面下按壓造成液晶偏轉混亂，空隙中間區域較弱的水平電場無法恢復液晶在按壓前的偏轉狀態，即造成Trace?Mura（按壓痕跡殘留類不良）的發生；隨著面板高像素密度的不斷提升，2^nd透明導電薄膜的條狀寬度越做越小，在空隙寬度無明顯變化的情況下，這個問題顯得愈發嚴重。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：如何提供一種陣列基板結構、液晶面板及顯示裝置，用以避免現有顯示基板制造技術中Trace?Mura的發生。

（二）技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板，以及在襯底基板上形成的薄膜晶體管、第二絕緣層、第一電極和第二電極；

其中，所述第一電極和所述第二電極用于形成電場；所述第二絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之間；

所述第二電極為梳狀電極，且位于所述第二絕緣層的遠離所述襯底基板一側上；

所述陣列基板上還包括凸起結構，位于所述第一電極的靠近所述襯底基板的一側，所述凸起結構的位置對應于所述梳狀電極之間的空隙。

所述凸起結構的凸起形狀為棱柱形。

所述棱柱形為三棱柱或四棱柱，三棱柱的頂角優選30°～90°；四棱柱的頂角優選105°～120°；三棱柱或四棱柱的底邊的寬度小于所述梳狀電極的空隙寬度。

所述梳狀電極為平行排列的多個條狀電極。

所述凸起結構包括第一電極層凸起，所述第一電極層凸起與所述第一電極同時形成。

所述凸起結構包括柵極層凸起，所述柵極層凸起與所述薄膜晶體管的柵極同時形成。

所述凸起結構包括柵極絕緣層凸起，所述柵極絕緣層凸起與所述薄膜晶體管的柵絕緣層同時形成。

所述凸起結構為設置在所述第一電極與所述襯底基板之間的任意兩層之間的透明塊。

所述凸起結構設置在所述第一電極與所述薄膜晶體管的柵絕緣層之間，或者設置在所述柵絕緣層與所述襯底基板之間。

所述透明塊為樹脂材料塊。

所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏極接觸，所述第一電極作為所述陣列基板的像素電極；所述第二電極作為所述陣列基板的公共電極。

所述第一電極作為所述陣列基板的公共電極；所述第二電極通過所述第二絕緣層上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極接觸，所述第二電極作為所述陣列基板的像素電極。

所述三棱柱的截面呈等腰三角形。

所述四棱柱的截面呈等腰梯形。

一種顯示裝置，其特征是，包括上述所述的陣列基板。

一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征是，該方法包括：

在所述襯底基板上形成第一電極、薄膜晶體管、凸起結構以及第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上方設置第二電極；

其中，所述第二電極為梳狀電極，所述凸起結構的位置對應于所述梳狀電極之間的空隙。

所述凸起結構包括第一電極層凸起，所述第一電極層凸起與所述第一電極同時形成。

所述凸起結構包括柵極層凸起，所述柵極層凸起與所述薄膜晶體管的柵極同時形成。

所述凸起結構的凸起形狀為棱柱形。