[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板、顯示裝置及方法

無效

• 申請號: 201310080482.1
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN103149764A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 胡偉;莫再隆;石天雷
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板，以及在襯底基板上形成的薄膜晶體管、第二絕緣層、第一電極和第二電極；

其中，所述第一電極和所述第二電極用于形成電場；所述第二絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之間；

所述第二電極為梳狀電極，且位于所述第二絕緣層的遠離所述襯底基板一側上；

所述陣列基板上還包括凸起結構，位于所述第一電極的靠近所述襯底基板的一側，所述凸起結構的位置對應于所述梳狀電極之間的空隙。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征是，所述凸起結構的凸起形狀為棱柱形。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征是，所述棱柱形為三棱柱或四棱柱，三棱柱的頂角優選30°～90°；四棱柱的頂角優選105°～120°；三棱柱或四棱柱的底邊的寬度小于所述梳狀電極的空隙寬度。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征是，所述梳狀電極為平行排列的多個條狀電極。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征是，所述凸起結構包括第一電極層凸起，所述第一電極層凸起與所述第一電極同時形成。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征是，所述凸起結構包括柵極層凸起，所述柵極層凸起與所述薄膜晶體管的柵極同時形成。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征是，所述凸起結構包括柵極絕緣層凸起，所述柵極絕緣層凸起與所述薄膜晶體管的柵絕緣層同時形成。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征是，所述凸起結構為設置在所述第一電極與所述襯底基板之間的任意兩層之間的透明塊。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征是，所述凸起結構設置在所述第一電極與所述薄膜晶體管的柵絕緣層之間，或者設置在所述柵絕緣層與所述襯底基板之間。

10.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征是，所述透明塊為樹脂材料塊。

11.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征是，所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏極接觸，所述第一電極作為所述陣列基板的像素電極；所述第二電極作為所述陣列基板的公共電極。

12.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征是，所述第一電極作為所述陣列基板的公共電極；所述第二電極通過所述第二絕緣層上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極接觸，所述第二電極作為所述陣列基板的像素電極。

13.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征是，所述三棱柱的截面呈等腰三角形。

14.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征是，所述四棱柱的截面呈等腰梯形。

15.一種顯示裝置，其特征是，包括權利要求1～14中任一項所述的陣列基板。

16.一種根據權利要求1所述薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征是，該方法包括：

在所述襯底基板上形成第一電極、薄膜晶體管、凸起結構以及第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上方設置第二電極；

其中，所述第二電極為梳狀電極，所述凸起結構的位置對應于所述梳狀電極之間的空隙。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征是，所述凸起結構包括第一電極層凸起，所述第一電極層凸起與所述第一電極同時形成。

18.根據權利要求16所述的方法，其特征是，所述凸起結構包括柵極層凸起，所述柵極層凸起與所述薄膜晶體管的柵極同時形成。

19.根據權利要求16所述的方法，其特征是，所述凸起結構的凸起形狀為棱柱形。