[發(fā)明專利]一種含Ga籠狀化合物的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310080321.2
• 申請(qǐng)日: 2013-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN103114215A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋玉平;劉麗華;栗峰;李陽;楊善武;曹國(guó)輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京科技大學(xué)
• 主分類號(hào): C22C1/04
• 分類號(hào): C22C1/04;C01B33/00;H01L35/34
• 代理公司: 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401
• 代理人: 皋吉甫

1.一種含Ga籠狀化合物的制備方法，該方法具體包括以下步驟；

?（1）按照預(yù)合成的含Ga化合物的分子式，以高純單質(zhì)元素為原料，除Ga外，均按名義成分稱量，Ga元素稱量為名義成分的2~4倍；

（2）將上述原料單質(zhì)元素加入電弧爐內(nèi)，抽真空至10^-3Pa以下后充入氬氣作為保護(hù)氣體，開啟電弧，進(jìn)行冶煉；

（3）將冶煉后所得合金敲碎，于研缽中進(jìn)行充分研磨，備用；

????（4）SPS燒結(jié)：根據(jù)SPS系統(tǒng)模具的尺寸和樣品的密度，選取適量的上述步驟制備得到的合金粉末，在溫度為780~800℃，壓力為25~35MPa的條件下，燒結(jié)4~6min；

（5）將燒結(jié)壓坯取出，剝離表面包裹的石墨紙，并打磨表面，以去除石墨擴(kuò)散層；

（6）對(duì)打磨后塊材進(jìn)行X射線衍射分析，與預(yù)合成的籠狀化合物標(biāo)準(zhǔn)pdf卡片進(jìn)行對(duì)比，若仍有雜相，重復(fù)步驟（3）~（5）過程，得到單相含Ga籠狀化合物。