[發(fā)明專利]晶圓邊緣保護(hù)裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310080281.1
• 申請(qǐng)日: 2013-03-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104051293A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳家豪;魏逸豐;謝曜鍾;卓宜德;華特東尼福摩斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種晶圓邊緣保護(hù)裝置，尤指一種應(yīng)用于一用于氮化鎵半導(dǎo)體元件及電路制程的感應(yīng)耦合電漿離子蝕刻機(jī)臺(tái)內(nèi)的晶圓邊緣保護(hù)裝置。

背景技術(shù)

感應(yīng)耦合電漿離子蝕刻(inductively?coupled?plasma?reactive?ion?etch)方法常應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體晶片的制程中，蝕刻時(shí)須先將化合物半導(dǎo)體晶圓固定于一作為晶圓載具的晶座上，再將晶圓連同晶座固定于蝕刻機(jī)臺(tái)內(nèi)進(jìn)行蝕刻。現(xiàn)有技術(shù)中用于固定晶圓及晶座的夾具通常為一爪型晶圓夾具，此爪型晶圓夾具一般具有六個(gè)或八個(gè)指型物，以環(huán)繞方式排列，用于固定半導(dǎo)體晶圓及晶座；由于進(jìn)行化合物半導(dǎo)體晶片背面導(dǎo)孔蝕刻時(shí)須使用較高偏壓功率，因此常在蝕刻過(guò)程中造成晶片邊緣損壞，使產(chǎn)品合格率無(wú)法提高，承載半導(dǎo)體晶圓的晶座也會(huì)因其邊緣曝露于電漿中而受到損壞而須時(shí)常更換而增加生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶圓邊緣保護(hù)裝置，用于半導(dǎo)體晶圓電漿離子蝕刻制程中，使半導(dǎo)體晶圓的邊緣不易受損，晶座在蝕刻過(guò)程中能免受蝕刻物質(zhì)的破壞，因此能提高產(chǎn)品的合格率，并能延長(zhǎng)晶座的使用壽命以節(jié)省制程成本。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種晶圓邊緣保護(hù)裝置，其安裝于一感應(yīng)耦合電漿離子蝕刻機(jī)臺(tái)內(nèi)，前述晶圓邊緣保護(hù)裝置具有一環(huán)形夾持部，其中前述環(huán)形夾持部具有一第一內(nèi)直徑以及一第二內(nèi)直徑，覆蓋一半導(dǎo)體晶圓及一晶座的邊緣，用于夾持前述半導(dǎo)體晶圓及晶座，并保護(hù)前述半導(dǎo)體晶圓及晶座的邊緣在蝕刻過(guò)程中不受損壞。

于實(shí)施時(shí)，前述第一內(nèi)直徑介于40mm至200mm之間。

于實(shí)施時(shí)，前述第二內(nèi)直徑介于50mm至1000mm之間。

于實(shí)施時(shí)，前述環(huán)形夾持部以陶瓷材料制成。

于實(shí)施時(shí)，前述晶圓是一化合物半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)晶圓，其尺寸介于50mm至200mm之間

于實(shí)施時(shí)，前述化合物半導(dǎo)體氮化鎵晶圓固定于一尺寸介于50mm至200mm間的晶座。

于實(shí)施時(shí)，前述供固定氮化鎵晶圓的晶座以藍(lán)寶石(sapphire)材料基板、玻璃材料基板或碳化硅材料基板制作。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是：本發(fā)明提供的晶圓邊緣保護(hù)裝置確實(shí)可達(dá)到預(yù)期的目的，于電漿離子蝕刻制程中保護(hù)晶圓及晶座邊緣，因此能提高產(chǎn)品的合格率，并能延長(zhǎng)晶座的使用壽命，進(jìn)而節(jié)省制程成本。其確具產(chǎn)業(yè)利用的價(jià)值。

附圖說(shuō)明

圖1A、圖1B、圖1C是本發(fā)明所提供的晶圓邊緣保護(hù)裝置的一實(shí)施例的示意圖與局部截面放大圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：10-感應(yīng)耦合電漿離子蝕刻機(jī)臺(tái)；100-晶圓邊緣保護(hù)裝置；101-環(huán)形夾持部；102-第一內(nèi)直徑；103-第二內(nèi)直徑；104-晶圓邊緣覆蓋寬度；110-半導(dǎo)體晶圓；120-晶座。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1A、圖1B、圖1C，其為本發(fā)明所提供的晶圓邊緣保護(hù)裝置的一種實(shí)施例的示意圖，其中圖1C為圖1B中由虛線C所圈出部分的放大圖，此晶圓邊緣保護(hù)裝置100安裝于一感應(yīng)耦合電漿離子蝕刻機(jī)臺(tái)10內(nèi)，具有一環(huán)形夾持部101，其中前述環(huán)形夾持部101具有一第一內(nèi)直徑102以及一第二內(nèi)直徑103，前述邊緣保護(hù)裝置100于使用時(shí)覆蓋一半導(dǎo)體晶圓110及一晶座120的邊緣，用于夾持前述半導(dǎo)體晶圓110及晶座120，并保護(hù)前述半導(dǎo)體晶圓110及晶座120的邊緣在蝕刻過(guò)程中不受損壞。