[發(fā)明專利]晶圓邊緣保護(hù)裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310080281.1
• 申請(qǐng)日: 2013-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN104051293A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳家豪;魏逸豐;謝曜鍾;卓宜德;華特東尼福摩斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種晶圓邊緣保護(hù)裝置，安裝于一感應(yīng)耦合電漿離子蝕刻機(jī)臺(tái)內(nèi)，其特征在于：該晶圓邊緣保護(hù)裝置具有一環(huán)形夾持部，其中該環(huán)形夾持部具有一第一內(nèi)直徑以及一第二內(nèi)直徑，覆蓋一半導(dǎo)體晶圓及一晶座的邊緣，用于夾持該半導(dǎo)體晶圓及該晶座，并保護(hù)該半導(dǎo)體晶圓及該晶座的邊緣在蝕刻過程中不受損壞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓邊緣保護(hù)裝置，其特征在于：該第一內(nèi)直徑介于40mm至200mm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓邊緣保護(hù)裝置，其特征在于：該第二內(nèi)直徑介于50mm至1000mm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓邊緣保護(hù)裝置，其特征在于：該環(huán)形夾持部以陶瓷材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓邊緣保護(hù)裝置，其特征在于：該晶圓是一化合物半導(dǎo)體氮化鎵晶圓，其尺寸介于50mm至200mm之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓邊緣保護(hù)裝置，其特征在于：該化合物半導(dǎo)體氮化鎵晶圓包含成長于一半絕緣性4H碳化硅或6H碳化硅基板的以氮化鎵為主的磊晶層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓邊緣保護(hù)裝置，其特征在于：該化合物半導(dǎo)體氮化鎵晶圓固定于一尺寸介于50mm至200mm間的晶座。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓邊緣保護(hù)裝置，其特征在于：該晶座以藍(lán)寶石材料基板、玻璃材料基板或碳化硅材料基板制作。