[發明專利]蝕刻膏，制備蝕刻膏的方法，利用蝕刻膏形成圖案的方法

無效

• 申請號: 201310078634.4
• 申請日: 2013-03-12
• 公開（公告）號: CN103540321A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 沈在俊
• 申請（專利權）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: C09K13/06
• 分類號: C09K13/06;G03F7/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

技術領域

本發明涉及蝕刻膏，制備蝕刻膏的方法，和利用蝕刻膏形成圖案的方法。更具體地，本發明涉及能夠使蝕刻程度可覺察，允許在較低的干燥溫度下進行蝕刻，在蝕刻期間或之后在圖案的遠端通過防止蝕刻的擴展來防止阻抗增加，增加蝕刻選擇性（解析度），實現良好的線寬度，顯示良好的蝕刻性能，并且較少影響設備的蝕刻膏，制備蝕刻膏的方法，和利用蝕刻膏形成圖案的方法。

背景技術

圖案形成方法主要用于半導體設備和平板顯示器如LCD、OLED、和PDP。利用感光性材料，如光致抗蝕劑，來進行典型的圖案形成方法，其中通過將光致抗蝕劑沉積在絕緣材料（如玻璃、或半導體材料）的基板上形成的金屬層上，緊接著通過曝光以及通過光掩模顯影來形成光掩模。然后，當僅僅利用蝕刻溶液蝕刻金屬層并且利用脫模劑（stripper）清除光致抗蝕劑圖案時，在基板上只殘留金屬圖案，因此形成圖案。

利用光致抗蝕劑的這類金屬圖案形成方法導致復雜的制造方法，因為圖案是通過光致抗蝕劑應用、烘烤、曝光、和顯影形成的。具體地，需要在特定溫度下的軟烘焙方法（soft?baking?process）和在比軟烘焙溫度更高的溫度下的硬烘焙方法（hard?banking?process）來烘焙光致抗蝕劑，從而使得該方法甚至更加復雜。其結果是，典型的圖案形成方法具有多種問題，如增加制造成本、由于廢光致抗蝕劑污染物引起的環境污染、以及由殘存的光致抗蝕劑引起的缺陷。

因此，已經開發了利用酸化合物制備蝕刻膏的方法。在利用包括酸化合物的蝕刻膏的圖案形成方法中，將蝕刻目標沉積在基板上，然后通過掩模將蝕刻膏印刷在其上，通過熱處理干燥，并且洗滌，從而形成圖案。

然而，當通過熱處理蝕刻目標物時，蝕刻程度是不均勻的，并且隨著物體的厚度而變化。另外，如果通過有可能通過熱處理來鑒別蝕刻是否完成，可在沒有額外的熱處理的情況下，通過洗滌完成圖案形成。因而，需要基于熱處理的溫度和持續時間確定蝕刻程度的方法。另外，在熱處理期間，普通的蝕刻膏傾向于在目標物的遠端處擴展，引起最終圖案的阻抗增加。如果克服這些問題，有可能以降低的制造成本和更短的制造時間，高效率地形成精細圖案。

韓國專利公開號2010-0068833A公開了通過以下各項用于制造電極的方法：在半導體基板上形成具有與半導體基板相反的導電類型的半導體單元，在半導體單元上形成保護膜，將蝕刻膏印刷在保護膜上，蝕刻半導體單元，并且應用導電的金屬材料。然而，在這種方法中，難以識別蝕刻程度。

發明內容

本發明的一個方面提供一種蝕刻膏，包含酸化合物、有機粘結劑、選自胺化合物和銨化合物的至少一種化合物、鈷鋁氧化物、和溶劑。

在蝕刻膏中鈷鋁氧化物能夠以大約1wt％至大約20wt％的量存在。

蝕刻膏可以包含大約15wt％至大約50wt％的酸化合物，大約3wt％至大約20wt％的有機粘結劑，大約0.1wt％至大約10wt％的選自胺化合物和銨化合物的至少一種化合物，大約1wt％至大約20wt％的鈷鋁氧化物，并且余量為溶劑。

蝕刻膏可進一步包含選自由以下組成的組中的至少一種：有機酸、無機顆粒、發泡劑、均化劑、防泡劑、增稠劑、觸變劑、增塑劑、分散劑、粘度穩定劑、UV穩定劑、抗氧化劑和偶聯劑。

本發明的另外的方面提供一種形成圖案的方法，其包括將蝕刻膏印刷在蝕刻目標沉積在其上的基板上；干燥蝕刻膏；并且洗滌蝕刻膏，從而形成圖案。

附圖說明

圖1說明根據本發明的一個實施方式形成圖案的方法。

圖2是根據本發明的實施方式形成圖案的方法的流程圖。

圖3說明在實例1中的蝕刻之后，圖案的遠端。

圖4說明在比較實例1中的蝕刻之后，圖案的遠端。

具體實施方式

本發明的一個方面提供一種蝕刻膏，其包含：酸化合物；有機粘結劑；選自胺化合物和銨化合物的至少一種化合物；鈷鋁氧化物；和溶劑。

酸化合物

酸化合物可包含能夠蝕刻蝕刻膏在其上起作用的蝕刻目標的任何化合物，例如，金屬或銦錫氧化物（ITO）。例如，酸化合物可包含無機酸，例如，磷酸、氟化氫、氟化銨、氟化氫銨（酸性氟化銨，ammonium?hydrogen?fluoride），或它們的混合物。

優選地，可使用磷酸。

酸化合物可以具有大約80％或更高濃度，優選大約85％至90％（基于重量）的酸溶液使用，例如，磷酸水溶液。