[發(fā)明專利]一種復(fù)合陽極及其制備方法和有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310077741.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104051657A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;王平;黃輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 陽極 及其 制備 方法 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 | ||
1.一種復(fù)合陽極,其特征在于,所述復(fù)合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層和錸的氧化物層組成,所述銫鹽層的材質(zhì)為氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一種,所述中間層材質(zhì)為聚(3,4-二氧乙基噻吩)和聚(對(duì)苯乙烯磺酸)按質(zhì)量比為2:1~6:1形成的混合材料,所述錸的氧化物層的材質(zhì)為二氧化錸、七氧化二錸、三氧化二錸和氧化二錸中的一種。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合陽極,其特征在于,所述銫鹽層的厚度為5~20nm。
3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合陽極,其特征在于,所述中間層的厚度為5~20nm。
4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合陽極,其特征在于,所述錸的氧化物層的厚度為5~20nm。
5.一種復(fù)合陽極的制備方法,其特征在于,包括以下操作步驟:
提供所需尺寸的玻璃基底,清洗后干燥;
在玻璃基底采用旋涂的方法制備所述銫鹽層、中間層和錸的氧化物層,得到所述復(fù)合陽極;首先,將氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一種和溶劑混合,形成銫鹽質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~40%的銫鹽溶液,然后在玻璃基底出光面上旋涂所述銫鹽溶液得到所述銫鹽層,所述旋涂轉(zhuǎn)速為500~6000rpm,時(shí)間為5~60s,旋涂后在烘干;將聚(3,4-二氧乙基噻吩)和聚(對(duì)苯乙烯磺酸)的按質(zhì)量比為2:1~6:1混合形成混合材料,加水后形成聚(3,4-二氧乙基噻吩)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~5%的水溶液,在銫鹽層上旋涂水溶液得到中間層,旋涂轉(zhuǎn)速為500~8000rpm,時(shí)間為5~60s,旋涂后烘干;將錸的氧化物和溶劑混合,形成錸的氧化物質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~50%的錸的氧化物溶液,所述錸的氧化物為二氧化錸、七氧化二錸、三氧化二錸和氧化二錸中的一種;在中間層上旋涂錸的氧化物溶液得到錸的氧化物層,旋涂轉(zhuǎn)速為500~8000rpm,時(shí)間為5~60s。
6.如權(quán)利要求5所述的復(fù)合陽極的制備方法,其特征在于,所述銫鹽層的厚度為5~20nm。
7.如權(quán)利要求5所述的復(fù)合陽極的制備方法,其特征在于,所述中間層的厚度為5~20nm。
8.如權(quán)利要求5所述的復(fù)合陽極的制備方法,其特征在于,所述錸的氧化物層的厚度為5~20nm。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次層疊的復(fù)合陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述復(fù)合陽極由依次層疊的玻璃基底、銫鹽層、中間層和錸的氧化物層組成,所述銫鹽層的材質(zhì)為氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一種,所述中間層為聚(3,4-二氧乙基噻吩)和聚(對(duì)苯乙烯磺酸)按質(zhì)量比為2:1~6:1形成的混合材料,所述錸的氧化物層的材質(zhì)為二氧化錸、七氧化二錸、三氧化二錸和氧化二錸中的一種。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下操作步驟:
提供所需尺寸的玻璃基底,清洗后干燥;
在玻璃基底出光面上采用旋涂的方法制備所述銫鹽層、中間層和錸的氧化物層,得到所述復(fù)合陽極;首先,將氟化銫、氯化銫和碳酸銫中的一種和溶劑混合,形成銫鹽質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~40%的銫鹽溶液,然后在玻璃基底出光面上旋涂所述銫鹽溶液得到所述銫鹽層,所述旋涂轉(zhuǎn)速為500~6000rpm,時(shí)間為5~60s,旋涂后烘干;將聚(3,4-二氧乙基噻吩)和聚(對(duì)苯乙烯磺酸)的按質(zhì)量比為2:1~6:1混合形成混合材料,加水后形成聚(3,4-二氧乙基噻吩)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~5%的水溶液,在銫鹽層上旋涂水溶液得到中間層,旋涂轉(zhuǎn)速為500~8000rpm,時(shí)間為5~60s,旋涂后烘干;將錸的氧化物和溶劑混合,形成錸的氧化物質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~50%的錸的氧化物溶液,所述錸的氧化物為二氧化錸、七氧化二錸、三氧化二錸和氧化二錸中的一種;在中間層上旋涂錸的氧化物溶液得到錸的氧化物層,旋涂轉(zhuǎn)速為500~8000rpm,時(shí)間為5~60s,旋涂后烘干;
在錸的氧化物層上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,最終得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





