[發明專利]高K金屬柵結構的制備方法有效
| 申請號： | 201310077624.9 | 申請日： | 2013-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN104051252B | 公開（公告）日： | 2017-04-05 |
| 發明（設計）人： | 張子瑩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 結構 制備 方法 | ||
1.一種高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
1）提供一襯底，在所述襯底上自下而上依次形成界面層及高K電介質層；
2）在所述高K電介質層上沉積阻擋層；
3）采用化學氣相沉積法在所述阻擋層上沉積硅層以使硅原子或硅離子進入所述阻擋層上部或整個阻擋層中，形成硅摻雜的阻擋層；
4）在所述步驟3）形成的結構上制作金屬柵極層。
2.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：于所述步驟3）中，在形成硅摻雜的阻擋層之后還包括一去除所述硅層的步驟。
3.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述化學氣相沉積法的溫度范圍是400~600?℃。
4.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述高K電介質層的材料包括ZrO2、HfO2、Al2O3、HfSiO、HfSiON中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述金屬柵極層的材料包括TiAl、Al、Ta、Ti、W、Cu、HfCN、HfC、Pt、Ru、Mo或Ir中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述阻擋層的材料包括TiN、TaN、HfN、ZrN、HfC或TaC中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述阻擋層的材料為TiN，硅原子或硅離子進入所述TiN中形成TiSiN層。
8.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述阻擋層的厚度范圍是0.5~5nm。
9.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述硅層的厚度范圍是1~10nm。
10.根據權利要求1所述的高K金屬柵結構的制備方法，其特征在于：所述硅層為無定形硅層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
