[發明專利]產生方法和信息處理設備

有效

• 申請號: 201310076853.9
• 申請日: 2013-03-12
• 公開（公告）號: CN103309171A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 荒井禎
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/38
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李曉芳

技術領域

本發明涉及產生用于要被用于曝光設備的掩模圖案的數據的產生方法和信息處理設備。

背景技術

隨著半導體裝置的微圖案化的最新發展，曝光設備轉印（解析）圖案變得困難。為了跟上半導體裝置的微圖案化的步伐，曝光設備采用諸如修改的照射和光學鄰近校正（OPC）之類的分辨率增強技術，以優化用于照射掩模的掩模圖案或照射形狀（有效光源分布）。照射形狀指示在照射光學系統的光瞳面上形成的光強分布，并且還指示照射掩模的光的角分布。

為了優化照射形狀，設置用于裝置的布局圖案（目標圖案）、用于轉印圖案（光學圖像）的估計位置和在估計位置處的估計項（例如，尺寸、DOF或曝光寬容度）。接著，計算轉印圖案同時改變照射形狀，從而獲得在轉印圖案上估計位置處的估計項的值（估計值）。重復轉印圖案計算和估計值獲得，直到獲得的估計值落入容許范圍之內或照射形狀的變化的數目達到預定數目。照射形狀由例如具有內σ和外σ作為其參數（變量）的函數來數字地表示，所述參數在具有給定強度的環形照射中使用例如蒙特卡羅法來優化。甚至當使用相同的掩模圖案時，轉印圖案隨照射形狀的變化而變化。因而，在照射形狀變化時，轉印圖案偏離目標圖案。因此，OPC是將轉印圖案與目標圖案匹配所必需的。每當照射形狀改變時或當照射形狀改變給定量時，完成OPC。注意，OPC限于諸如線寬度、邊緣偏移和圖像偏移之類的轉印圖案的形狀的校正，并且不能執行對于諸如圖像的對比度和聚焦深度之類的分辨率性能的校正，所述分辨率性能是基于有效光源分布確定的。

美國專利No.6563566提出了一種設置要形成在基板（晶片）上的圖案并且計算通過數學方法優化的掩模圖案和照射形狀的技術。在美國專利No.6563566中公開的技術用分析法計算解（掩模圖案和照射形狀）而不是重復執行計算。雖然在美國專利No.6563566中公開的技術不采用OPC，但是要形成在基板上的圖案和優化的掩模圖案彼此不同，因而此技術從廣義來說可以被認為是包括掩模圖案校正的照射形狀優化技術。

此外，日本專利公開No.2009-93138和2009-94109提出一種將輔助圖案（本身不被解析的圖案）插入到主圖案（本身被解析的圖案）中以減小精細的、密集的圖案和隔離的圖案之間的分辨率性能的差別的技術。在日本專利公開No.2009-93138和No.2009-94109中描述的技術在2D-TCC近似空中圖像的峰（拉普拉斯峰）位置處插入輔助圖案。

在美國專利No.6563566中公開的技術具有如下優點：它用分析法計算解，但是需要將估計項限制到光學圖像的傾斜并且將要在基板上形成的圖案的類型限制到一個特定類型。如上所述，在美國專利No.6563566中描述的技術是不切實際的，因為它具有少量自由度的缺點。

另一方面，在日本專利公開No.2009-93138和No.2009-94109中公開的技術對于已知的照射形狀設置生成輔助圖案的固定的產生條件，即插入輔助圖案的方法。在日本專利公開No.2009-93138和No.2009-94109中描述的技術不能總是確定最佳照射條件和掩模圖案。

發明內容

本發明提供一種在產生用于要被用于曝光設備的包括輔助圖案的掩模圖案的數據中有益的技術。

根據本發明的一個方面，提供了一種產生用于要被用于曝光設備的掩模圖案的數據的產生方法，所述曝光設備包括用于將包括主圖案和輔助圖案的掩模圖案投射到基板上的投射光學系統，所述方法包括：第一步驟，設置產生條件，在所述產生條件下產生輔助圖案；第二步驟，計算要由投射光學系統使用在曝光設備中設置的曝光條件以及包括設置的主圖案和根據設置的產生條件產生的輔助圖案的掩模圖案在基板上形成的掩模圖案的圖像；和第三步驟，確定描述指示在第二步驟中計算的掩模圖案的圖像的質量的指數的估計函數的值是否落入容許范圍之內，其中，如果確定估計函數的值落入容許范圍之內，則產生包括設置的主圖案和根據在第一步驟中設置的產生條件產生的輔助圖案的數據作為用于該掩模圖案的數據，以及如果確定估計函數的值落在容許范圍之外，則改變產生條件以在第一步驟中設置新的產生條件，并且使用新的產生條件執行第二步驟和第三步驟。