[發(fā)明專利]一種為浮柵存儲(chǔ)器提供正負(fù)高壓的字線驅(qū)動(dòng)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310076777.1
• 申請(qǐng)日: 2013-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN104051004B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡洪;張君宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種為浮柵存儲(chǔ)器提供正負(fù)高壓的字線驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，包括：

P型晶體管（MP0）、第一N型晶體管(1MN0)、第二N型晶體管（MN1）；

所述P型晶體管（MP0）的柵端、所述第一N型晶體管(1MN0)的柵端和用于輸入電壓的第一輸入端口連接在一起，所述P型晶體管（MP0）的源端與用于輸入電壓的第二輸入端口連接，所述第一N型晶體管(MN0)的源端接地，所述第二N型晶體管（MN1）的漏端與用于輸入電壓的第三輸入端口連接，所述第二N型晶體管（MN1）的柵端與用于輸入電壓的第四輸入端口連接，所述P型晶體管（MP0）的漏端、所述第一N型晶體管(MN0)的漏端、第二N型晶體管（MN1）的源端和用于輸出電壓的字線輸出端口連接在一起。

2.一種為浮柵存儲(chǔ)器提供正負(fù)高壓的字線驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，

所述方法基于為浮柵存儲(chǔ)器提供正負(fù)高壓的字線驅(qū)動(dòng)裝置，所述字線驅(qū)動(dòng)裝置包括：P型晶體管（MP0）、第一N型晶體管(MN0)、第二N型晶體管（MN1）；所述P型晶體管（MP0）的柵端、所述第一N型晶體管(MN0)的柵端和用于輸入電壓的第一輸入端口連接在一起，所述P型晶體管（MP0）的源端與用于輸入電壓的第二輸入端口連接，所述第一N型晶體管(MN0)的源端接地，所述第二N型晶體管（MN1）的漏端與用于輸入電壓的第三輸入端口連接，所述第二N型晶體管（MN1）的柵端與用于輸入電壓的第四輸入端口連接，所述P型晶體管（MP0）的漏端、所述第一N型晶體管(MN0)的漏端、第二N型晶體管（MN1）的源端和用于輸出電壓的字線輸出端口連接在一起；

進(jìn)行擦除操作時(shí)：

在所述第一輸入端口施加-9V到-7V之間的電壓；在所述第四輸入端口施加1V到3V之間的電壓；

當(dāng)所述字線驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的字處于選中狀態(tài)時(shí)，將所述第二輸入端口浮空，在所述第三輸入端口施加-9V到-7V之間的電壓；

當(dāng)所述字線驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的字處于未選中狀態(tài)時(shí)，在所述第二輸入端口施加4V到6V之間的電壓，將所述第三輸入端口浮空。

3.如權(quán)利要求2所述的為浮柵存儲(chǔ)器提供正負(fù)高壓的字線驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，進(jìn)行讀取操作時(shí)：

將所述第一輸入端口接地；在所述第四輸入端口施加4V到6V之間的電壓；

當(dāng)所述字線驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的字處于選中狀態(tài)時(shí)，在所述第二輸入端口施加4V到6V之間的電壓，將所述第三輸入端口浮空；

當(dāng)所述字線驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的字處于未選中狀態(tài)時(shí)，將所述第二輸入端口浮空，將所述第三輸入端口接地。

4.如權(quán)利要求2或3所述的為浮柵存儲(chǔ)器提供正負(fù)高壓的字線驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，進(jìn)行編程操作時(shí)：

將所述第一輸入端口接地；在所述第四輸入端口施加7V到9V之間的電壓；

當(dāng)所述字線驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的字處于選中狀態(tài)時(shí)，在所述第二輸入端口施加7V到9V之間的電壓，將所述第三輸入端口浮空；

當(dāng)所述字線驅(qū)動(dòng)裝置對(duì)應(yīng)的字處于未選中狀態(tài)時(shí)，將所述第二輸入端口浮空，將所述第三輸入端口接地。