[發(fā)明專利]一種金絲與銅箔的連接方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310076360.5 | 申請日: | 2013-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN103151280A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張鵬;欒冬;王春雨;陳剛;杜海 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業(yè)大學(威海) |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/607 |
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| 地址: | 264209*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金絲 銅箔 連接 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及材料加工技術領域中金屬間的連接方法,尤其涉及一種金絲與銅箔的連接方法。
背景技術
集成電路及半導體器件向著封裝多引線化、高集成度和小型化發(fā)展,對連接材料的技術指標要求越來越高。目前,引線材料主要有金、銅等,由于金的使役性能最佳而被廣泛應用;基板材料主要有鐵鎳合金、樹脂或陶瓷覆銅等,由于基板引線密度需求提高,基板向短、輕、薄、高精細度、多引線、小節(jié)距的方向發(fā)展,厚度需求相應減薄,已從0.25mm減至0.08-0.1mm。銅箔較目前的基板材料具有高電阻率、高導熱率、低成本等優(yōu)點,但由于銅箔在空氣中極易氧化,以及銅與金的原子擴散嵌合性能并不理想,采用真空狀態(tài)下連接,工藝復雜且成本高,因此,需要行之有效的連接方法保證連接后部件的可靠性。
發(fā)明內容
為了解決金絲與銅箔的可靠連接問題,本發(fā)明的目的在于提供一種金絲與銅箔的連接方法,實現(xiàn)金絲與銅箔的連接,以獲得性能良好的連接部件,具有工藝操作簡便、成本低、適合于推廣應用的特點。
本發(fā)明包括以下步驟:
步驟一:將銅箔片待連接表面用質量濃度為5%-20%的鹽酸進行清洗5-20分鐘;
步驟二:用質量濃度為5%-10%的丙酮進行超聲清洗10-20分鐘,超聲清洗頻率為20-30KHz,再用超純水沖洗后,吹干,備用;
步驟三:清洗加熱臺,并將加熱臺加熱至50-200℃,加熱速度為5-20℃/分鐘;
步驟四:清洗移動工作臺,并將金絲纏繞固定在移動工作臺側面的轉動卷軸上,金絲一端穿過轉動卷軸下面帶有中心孔的針頭,然后將金絲裸露端部點火燒制成球狀;
步驟五:將步驟二中處理后的銅箔片放置于加熱臺上并固定,保持時間3-5分鐘;
步驟六:將移動工作臺下移至針頭底端金絲球與銅箔表面接觸,然后移動工作臺施加180-240克力下壓,并同時以180-210毫瓦的功率進行前后或左右振動,整個過程時間為170-200毫秒;
步驟七:將移動工作臺上移合適位置后,剪斷金絲,完成金絲與銅箔的點連接,然后取出連接部件,也可將移動工作臺水平移動合適位置后,重復步驟四后,剪斷金絲,完成一個金絲與銅箔的線連接,然后取出連接部件。
本發(fā)明中的銅箔材料可以是純銅或銅合金。
本發(fā)明中的銅箔可以是壓延銅箔、電解銅箔或覆銅箔。
本發(fā)明中的銅箔如采用壓延銅箔,其表面壓延流線的處理方式有兩種:一、可以將待連接表面用金相砂紙打磨至1600-2000#,然后進行步驟一至步驟七的操作;二、可以進行步驟一至步驟四的操作后,將步驟五中銅箔壓延流線方向與移動工作臺振動方向以45-90范圍內的角度進行固定,然后再進行步驟六、步驟七的操作。
本發(fā)明中的銅箔如采用電解銅箔,選擇毛面作為連接表面時,其處理方式有兩種:一、可以用質量濃度為20%-30%的鹽酸進行清洗1-3分鐘,然后進行步驟二至步驟七的操作;二、可以將待連接表面用金相砂紙打磨至1600-2000#,然后進行步驟一至步驟七的操作。
本發(fā)明中的銅箔如采用覆銅箔,可以是有機樹脂覆銅箔、金屬基覆銅箔、陶瓷基覆銅箔、聚酯基覆銅箔、聚酰亞胺基覆銅箔、電子玻纖布基覆銅箔或復合基覆銅箔等,其銅箔面的處理方式按照所采用的是壓延銅箔或電解銅箔進行處理。
本發(fā)明方法工藝操作簡便、成本低、使金絲與銅箔連接失效率降低,提高了合格品率,為金絲與銅箔連接開辟了新的途徑,可以應用于封裝技術領域中金與銅的芯片鍵合,也可應用于其他領域中金與銅的異種金屬部件互連,具有很好的社會效益和經濟效益。
附圖說明
圖1為本發(fā)明中設備工作示意圖
圖中:
1加熱臺
2銅箔片
3針頭
4轉動卷軸
5移動工作臺
具體實施方式
具體實施方式一
下面結合圖1說明本實施方式,本實施方式包括以下步驟:
步驟一:將尺寸為10×10×0.08mm的壓延純銅箔片待連接表面用質量濃度為15%的鹽酸進行清洗10分鐘;
步驟二:用質量濃度為10%的丙酮進行超聲清洗10分鐘,超聲清洗頻率為20KHz,再用超純水沖洗后,吹干,備用;
步驟三:清洗加熱臺(1),并將加熱臺加熱至50℃,加熱速度為10℃/分鐘;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





