[發(fā)明專利]一種金絲與銅箔的連接方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310076360.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103151280A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張鵬;欒冬;王春雨;陳剛;杜海 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)(威海) |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 264209*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金絲 銅箔 連接 方法 | ||
1.一種金絲與銅箔的連接方法,其特征在于:它包括以下步驟:
步驟一:將銅箔片待連接表面用質(zhì)量濃度為5%-20%的鹽酸進(jìn)行清洗5-20分鐘;
步驟二:用質(zhì)量濃度為5%-10%的丙酮進(jìn)行超聲清洗10-20分鐘,超聲清洗頻率為20-30KHz,再用超純水沖洗后,吹干,備用;
步驟三:清洗加熱臺(tái)(1),并將加熱臺(tái)加熱至50-200℃,加熱速度為5-20℃/分鐘;
步驟四:清洗移動(dòng)工作臺(tái)(5),并將金絲纏繞固定在移動(dòng)工作臺(tái)側(cè)面的轉(zhuǎn)動(dòng)卷軸(4)上,金絲一端穿過轉(zhuǎn)動(dòng)卷軸下面帶有中心孔的針頭(3),然后將金絲裸露端部點(diǎn)火燒制成球狀;
步驟五:將步驟一中處理后的銅箔片放置于加熱臺(tái)(1)上并固定,保持時(shí)間3-5分鐘;
步驟六:將移動(dòng)工作臺(tái)(5)下移至針頭(3)底端金絲球與銅箔表面接觸,然后移動(dòng)工作臺(tái)(5)施加180-240克力下壓,并同時(shí)以180-210毫瓦的功率進(jìn)行前后或左右振動(dòng),整個(gè)過程時(shí)間為170-200毫秒;
步驟七:將移動(dòng)工作臺(tái)(5)上移合適位置后,剪斷金絲,完成金絲與銅箔的點(diǎn)連接,然后取出連接部件,也可將移動(dòng)工作臺(tái)(5)水平移動(dòng)合適位置后,重復(fù)步驟四后,剪斷金絲,完成金絲與銅箔的線連接,然后取出連接部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金絲與銅箔的連接方法,其特征在于,所述銅箔材料為純銅或銅合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金絲與銅箔的連接方法,其特征在于,所述銅箔為壓延銅箔、電解銅箔或覆銅箔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金絲與銅箔的連接方法,其特征在于,所述銅箔如采用壓延銅箔,其表面壓延流線的處理方式有兩種:一、可以將待連接表面用金相砂紙打磨至1600-2000#,然后進(jìn)行步驟一至步驟七的操作;二、可以進(jìn)行步驟一至步驟四的操作后,將步驟五中銅箔壓延流線方向與移動(dòng)工作臺(tái)振動(dòng)方向以45-90范圍內(nèi)的角度進(jìn)行固定,然后再進(jìn)行步驟六、步驟七的操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金絲與銅箔的連接方法,其特征在于,所述銅箔如采用電解銅箔,選擇毛面作為連接表面時(shí),其處理方式有兩種:一、可以用質(zhì)量濃度為20%-30%的鹽酸進(jìn)行清洗1-3分鐘,然后進(jìn)行步驟二至步驟七的操作;二、可以將待連接表面用金相砂紙打磨至1600-2000#,然后進(jìn)行步驟一至步驟七的操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金絲與銅箔的連接方法,其特征在于,所述銅箔如采用覆銅箔,可以是有機(jī)樹脂覆銅箔、金屬基覆銅箔、陶瓷基覆銅箔、聚酯基覆銅箔、聚酰亞胺基覆銅箔、電子玻纖布基覆銅箔或復(fù)合基覆銅箔等,其銅箔面的處理方式按照所采用的是壓延銅箔或電解銅箔進(jìn)行處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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