[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310074966.5
• 申請(qǐng)日: 2013-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103311246B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐山弘和
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/088
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 馮玉清

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底具有主表面且還具有在其內(nèi)部區(qū)域中的p型區(qū)域；以及在所述半導(dǎo)體襯底上/中的高擊穿電壓p溝道型晶體管，

其中，所述高擊穿電壓p溝道型晶體管包括：布置在所述半導(dǎo)體襯底中且在所述p型區(qū)域的主表面?zhèn)鹊牡谝籲型半導(dǎo)體層；形成在所述p型區(qū)域之上且在所述主表面中以引出漏極電極的第一p型摻雜劑區(qū)域；形成在所述p型區(qū)域之上且在所述主表面中以引出源極電極的第二p型摻雜劑區(qū)域；以及布置在所述第一p型摻雜劑區(qū)域正下方以接觸所述第一n型半導(dǎo)體層的局部n型掩埋區(qū)域，

其中所述第一p型摻雜劑區(qū)域包括p型摻雜劑區(qū)域和圍繞所述p型摻雜劑區(qū)域的側(cè)面和底部形成的p型漂移層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上/中的高擊穿電壓n溝道型晶體管，其中，所述高擊穿電壓n溝道型晶體管包括：第二n型半導(dǎo)體層，作為與所述高擊穿電壓p溝道型晶體管的第一n型半導(dǎo)體層相同的層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述局部n型掩埋區(qū)域位于所述第一p型摻雜劑區(qū)域下面，以使得二者的外周在平面圖中觀察時(shí)彼此一致，從而具有與所述第一p型摻雜劑區(qū)域相同的二維形狀。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述半導(dǎo)體襯底上/中不僅形成所述高擊穿電壓p溝道型晶體管，而且還形成與所述高擊穿電壓p溝道型晶體管等效的一個(gè)或多個(gè)高擊穿電壓p溝道型晶體管；這些p溝道型晶體管中的每個(gè)都包括形成在所述主表面中以圍繞晶體管的第二摻雜劑區(qū)域的n型阱區(qū)域；晶體管的所述局部n型掩埋區(qū)域?qū)崿F(xiàn)布置為在沿所述主表面的方向上跨過(guò)晶體管的所述第一p型摻雜劑區(qū)域彼此相對(duì)的所述n型阱區(qū)域的部分或區(qū)段之間的連接。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述局部n型掩埋區(qū)域存在得比所述第一n型半導(dǎo)體層更靠近所述主表面。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述局部n型掩埋區(qū)域出現(xiàn)在所述第一n型半導(dǎo)體層內(nèi)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述局部n型掩埋區(qū)域出現(xiàn)得比所述第一n型半導(dǎo)體層更靠近所述p型區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，通過(guò)離子注入法形成所述局部n型掩埋區(qū)域。

9.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，具有主表面且還具有在其內(nèi)部區(qū)域中的p型區(qū)域；以及在所述半導(dǎo)體襯底上/中的高擊穿電壓p溝道型晶體管，

其中，形成所述高擊穿電壓p溝道型晶體管的步驟包括：

制備所述半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括所述半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有主表面且還具有在其內(nèi)部區(qū)域中的所述p型區(qū)域；

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)且在所述p型區(qū)域的主表面?zhèn)刃纬傻谝籲型半導(dǎo)體層；

在所述p型區(qū)域之上且在該主表面中/上形成用于引出漏極電極的第一p型摻雜劑區(qū)域；

在所述p型區(qū)域之上且在所述主表面中/上形成用于引出源極電極的第二p型區(qū)域；以及

在所述第一p型摻雜劑區(qū)域正下方形成局部n型掩埋區(qū)域以接觸所述第一n型半導(dǎo)體層，

其中，相同掩模用于進(jìn)行形成所述第一p型摻雜劑區(qū)域的步驟和形成所述局部n型掩埋區(qū)域的步驟，

其中所述第一p型摻雜劑區(qū)域包括p型摻雜劑區(qū)域和圍繞所述p型摻雜劑區(qū)域的側(cè)面和底部形成的p型漂移層。

10.如權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述半導(dǎo)體襯底還包括高擊穿電壓n溝道型晶體管，所述高擊穿電壓n溝道型晶體管包括作為與所述高擊穿電壓p溝道型晶體管的第一n型半導(dǎo)體層相同的層的第二n型半導(dǎo)體層，形成所述高擊穿電壓n溝道型晶體管的第二n型半導(dǎo)體層的步驟與形成所述高擊穿電壓p溝道型晶體管的第一n型半導(dǎo)體層的步驟同時(shí)執(zhí)行。

11.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，通過(guò)離子注入法形成所述局部n型掩埋區(qū)域。