[發明專利]背照式CMOS影像傳感器及其制造方法

有效

• 申請號: 201310074157.4
• 申請日: 2013-03-07
• 公開（公告）號: CN103117290A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 高喜峰;葉菁
• 申請（專利權）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供邏輯晶圓及像素晶圓，其中，所述邏輯晶圓包括第一半導體襯底，形成于所述第一半導體襯底表面的第一介質層，形成于所述第一介質層中的第一金屬層及形成于所述第一介質層表面的第一鍵合層，并且所述第一金屬層靠近所述第一鍵合層；所述像素晶圓包括第二半導體襯底，形成于所述第二半導體襯底表面的第二介質層，形成于所述第二介質層中的第二金屬層及形成于所述第二介質層表面的第二鍵合層，并且所述第二金屬層靠近所述第二半導體襯底；所述邏輯晶圓及像素晶圓通過所述第一鍵合層及第二鍵合層鍵合在一起；

刻蝕部分所述第二半導體襯底，形成第一開口，所述第一開口露出部分所述第二介質層；并在所述第二半導體襯底表面及所述第二介質層表面形成緩沖層；

刻蝕部分所述緩沖層、部分所述第二介質層、部分所述第二鍵合層及部分所述第一鍵合層，形成第二開口，所述第二開口露出部分所述第一金屬層；

刻蝕部分所述緩沖層，形成第三開口，所述第三開口露出部分所述第二金屬層；

形成連接層，所述連接層連接所述第一金屬層及所述第二金屬層。

2.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，除了第二金屬層之外，所述像素晶圓還包括一層或者多層金屬層，所述一層或者多層金屬層與所述第二金屬層連接；與所述第二金屬層相比，所述一層或者多層金屬層遠離所述第二半導體襯底。

3.如權利要求1所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述緩沖層為二氧化硅層。

4.如權利要求3所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述緩沖層通過淀積或者氧化工藝形成。

5.如權利要求3所述的背照式CMOS影像傳感器的制造方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度為500埃～5000埃。

6.一種背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，包括：邏輯晶圓及像素晶圓，其中，所述邏輯晶圓包括第一半導體襯底，形成于所述第一半導體襯底表面的第一介質層，形成于所述第一介質層中的第一金屬層及形成于所述第一介質層表面的第一鍵合層，并且所述第一金屬層靠近所述第一鍵合層；所述像素晶圓包括第二半導體襯底，形成于所述第二半導體襯底表面的第二介質層，形成于所述第二介質層中的第二金屬層及形成于所述第二介質層表面的第二鍵合層，并且所述第二金屬層靠近所述第二半導體襯底；所述邏輯晶圓及像素晶圓通過所述第一鍵合層及第二鍵合層鍵合在一起；及連接層，所述連接層連接所述第一金屬層及所述第二金屬層。

7.如權利要求6所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，除了第二金屬層之外，所述像素晶圓還包括一層或者多層金屬層，所述一層或者多層金屬層與所述第二金屬層連接；與所述第二金屬層相比，所述一層或者多層金屬層遠離所述第二半導體襯底。

8.如權利要求6所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，還包括緩沖層，所述緩沖層形成于所述第二半導體襯底表面。

9.如權利要求8所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述緩沖層為二氧化硅層。

10.如權利要求8所述的背照式CMOS影像傳感器，其特征在于，所述緩沖層的厚度為500埃～5000埃。