[發明專利]一種柔性電子器件的制備方法有效
| 申請號： | 201310073718.9 | 申請日： | 2013-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN103151306A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 張其國;黃成沛;黃初旺 | 申請（專利權）人： | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201506 上海市金山區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 柔性 電子器件 制備 方法 | ||
1.一種柔性電子器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
于一硬質襯底上制備一分離層，且所述分離層部分覆蓋所述硬質襯底的上表面；
沉積無機膜覆蓋所述分離層的側壁及其上表面，且所述無機膜還覆蓋暴露的所述硬質襯底的上表面；
涂布塑料基板的前驅體覆蓋所述無機膜的側壁及其上表面，且部分覆蓋暴露的所述硬質襯底的上表面，固化后形成顯示器件襯底；
于所述顯示器件襯底的上表面制備電子元件。
2.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝制備所述無機膜。
3.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，在小于200℃的溫度條件下，采用以硅烷為主的混合氣體，利用等離子體激發功率快速制備所述無機膜。
4.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述無機膜的厚度小于300nm。
5.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述無機膜的材質為非晶硅或氮化硅。
6.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述分離層與所述硬質襯底之間的粘結力小于一預設值。
7.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述無機膜的上表面是粗糙的。
8.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述分離層為雙面膠材。
9.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述無機膜的上表面的表面粗糙度大于或等于Rz0.2μm且小于或等于Rz3μm。
10.根據權利要求1所述的柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述硬質襯底的材質為玻璃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
