[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路底部填充方案

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310071559.9
• 申請(qǐng)日: 2013-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103794568B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁世緯;呂俊麟;吳凱強(qiáng);楊青峰;劉明凱;繆佳君;王彥評(píng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/13
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/13;H01L21/58
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

優(yōu)先權(quán)

本申請(qǐng)要求于2012年10月30日提交的名稱(chēng)為“Integrated?Circuit?Underfill?Scheme”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)第61/720,266號(hào)的利益，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)總的來(lái)說(shuō)涉及集成電路，更具體地，涉及底部填充方案。

背景技術(shù)

在一些集成電路封裝中，底部填充材料用于填充芯片和通過(guò)焊料凸塊將該芯片安裝在其上的襯底之間的空間。底部填充物保護(hù)焊料凸塊免受濕氣或其他環(huán)境危害，并為組件提供附加機(jī)械強(qiáng)度而且補(bǔ)償芯片和襯底之間的熱膨脹差異。然而，底部填充材料能夠溢出目標(biāo)區(qū)域并且溢出物會(huì)污染襯底上方的用于焊料凸塊的疊層封裝件(PoP)焊盤(pán)。一些封裝件在底部填充物外面使用阻擋材料(damming?material)阻止溢出，從而導(dǎo)致附加成本以及因柔軟的液態(tài)阻擋材料和工具公差產(chǎn)生的較低的寬度/高度控制精度。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種集成電路，包括：襯底，在其頂面上具有至少一個(gè)凹陷；至少一個(gè)焊料凸塊，設(shè)置在所述襯底上方；管芯，設(shè)置在所述至少一個(gè)焊料凸塊上方并通過(guò)所述至少一個(gè)焊料凸塊與所述襯底電連接；以及底部填充物，環(huán)繞所述至少一個(gè)焊料凸塊并形成在所述襯底和所述管芯之間，其中，所述至少一個(gè)凹陷被設(shè)置在所述底部填充物周?chē)允箒?lái)自所述底部填充物的任意溢出物保留在所述至少一個(gè)凹陷中。

在該集成電路中，所述至少一個(gè)凹陷形成環(huán)繞所述底部填充物的互連通道。

在該集成電路中，多個(gè)凹陷散布在所述底部填充物周?chē)?/p>

在該集成電路中，所述至少一個(gè)凹陷具有矩形、圓形、橢圓形或它們的任意組合。

在該集成電路中，所述至少一個(gè)焊料凸塊是微焊料凸塊。

該集成電路進(jìn)一步包括至少一個(gè)球柵陣列(BGA)焊料凸塊，在所述底部填充物的外側(cè)被設(shè)置在所述襯底上方。

該集成電路進(jìn)一步包括頂部封裝件，設(shè)置在所述至少一個(gè)BGA焊料凸塊的上方并通過(guò)所述至少一個(gè)BGA焊料凸塊與所述襯底電連接。

該集成電路進(jìn)一步包括位于所述襯底下方的至少一個(gè)BGA焊料凸塊。

在該集成電路中，所述襯底是中介片。

該集成電路進(jìn)一步包括底部襯底，設(shè)置在所述至少一個(gè)BGA焊料凸塊的下方并通過(guò)所述至少一個(gè)BGA焊料凸塊與所述襯底電連接。

在該集成電路中，所述底部襯底是印刷電路板(PCB)。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括：在襯底的頂面上形成至少一個(gè)凹陷；形成設(shè)置在所述襯底上方的至少一個(gè)焊料凸塊；將管芯安裝在所述至少一個(gè)焊料凸塊和所述襯底上方；以及在所述襯底和所述管芯之間形成底部填充物，其中，所述至少一個(gè)凹陷被設(shè)置在所述底部填充物周?chē)允箒?lái)自所述底部填充物的任意溢出物保留在所述至少一個(gè)凹陷中。

在該方法中，在所述襯底的頂面上形成至少一個(gè)凹陷包括：在所述襯底上方形成鈍化層并在所述鈍化層中光刻限定所述至少一個(gè)凹陷。

在該方法中，在所述襯底和所述管芯之間形成底部填充物包括：將處于流體狀態(tài)的所述底部填充物施加在所述管芯和所述襯底之間并固化所述底部填充物。

在該方法中，在施加工藝期間，多余的底部填充材料流入所述至少一個(gè)凹陷。

該方法進(jìn)一步包括在所述底部填充物的外側(cè)形成設(shè)置在所述襯底上方的至少一個(gè)球柵陣列(BGA)焊料凸塊。

該方法進(jìn)一步包括將頂部封裝件安裝在所述至少一個(gè)BGA焊料凸塊和所述管芯上方。

該方法進(jìn)一步包括利用所述襯底和底部襯底之間的至少一個(gè)BGA焊料凸塊將所述襯底安裝在所述底部襯底上方。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種集成電路，包括：襯底，在其頂面上具有多個(gè)凹陷；至少一個(gè)微焊料凸塊，設(shè)置在所述襯底上方；管芯，設(shè)置在所述至少一個(gè)微焊料凸塊上方并通過(guò)所述至少一個(gè)微焊料凸塊與所述襯底電連接；底部填充物，環(huán)繞所述至少一個(gè)微焊料凸塊并形成在所述襯底和所述管芯之間；以及至少一個(gè)球柵陣列(BGA)焊料凸塊，在所述底部填充物的外側(cè)被設(shè)置在所述襯底上方，其中，所述多個(gè)凹陷散布在所述底部填充物周?chē)允箒?lái)自所述底部填充物的任意溢出物保留在至少一個(gè)凹陷中。

在該集成電路中，所述多個(gè)凹陷至少部分地填充有所述底部填充物。

附圖說(shuō)明

現(xiàn)在將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中：

圖1是根據(jù)一些實(shí)施例的示例性集成電路底部填充方案的示意圖；