[發(fā)明專利]集成電路底部填充方案有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310071559.9 | 申請(qǐng)日： | 2013-03-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103794568B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梁世緯;呂俊麟;吳凱強(qiáng);楊青峰;劉明凱;繆佳君;王彥評(píng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/13 | 分類號(hào)： | H01L23/13;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孫征 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 底部 填充 方案 | ||
1.一種集成電路，包括：
襯底，在其頂面上具有至少一個(gè)凹陷；
至少一個(gè)焊料凸塊，設(shè)置在所述襯底上方；
管芯，設(shè)置在所述至少一個(gè)焊料凸塊上方并通過所述至少一個(gè)焊料凸塊與所述襯底電連接；以及
底部填充物，環(huán)繞所述至少一個(gè)焊料凸塊并形成在所述襯底和所述管芯之間，
其中，所述至少一個(gè)凹陷被設(shè)置在所述底部填充物周圍以使來自所述底部填充物的任意溢出物保留在所述至少一個(gè)凹陷中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述至少一個(gè)凹陷形成環(huán)繞所述底部填充物的互連通道。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，多個(gè)凹陷散布在所述底部填充物周圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述至少一個(gè)凹陷具有矩形、圓形、橢圓形或它們的任意組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述至少一個(gè)焊料凸塊是微焊料凸塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，進(jìn)一步包括至少一個(gè)球柵陣列(BGA)焊料凸塊，在所述底部填充物的外側(cè)被設(shè)置在所述襯底上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，進(jìn)一步包括頂部封裝件，設(shè)置在所述至少一個(gè)BGA焊料凸塊的上方并通過所述至少一個(gè)BGA焊料凸塊與所述襯底電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，進(jìn)一步包括位于所述襯底下方的至少一個(gè)BGA焊料凸塊。
9.一種方法，包括：
在襯底的頂面上形成至少一個(gè)凹陷；
形成設(shè)置在所述襯底上方的至少一個(gè)焊料凸塊；
將管芯安裝在所述至少一個(gè)焊料凸塊和所述襯底上方；以及
在所述襯底和所述管芯之間形成底部填充物，其中，所述至少一個(gè)凹陷被設(shè)置在所述底部填充物周圍以使來自所述底部填充物的任意溢出物保留在所述至少一個(gè)凹陷中。
10.一種集成電路，包括：
襯底，在其頂面上具有多個(gè)凹陷；
至少一個(gè)微焊料凸塊，設(shè)置在所述襯底上方；
管芯，設(shè)置在所述至少一個(gè)微焊料凸塊上方并通過所述至少一個(gè)微焊料凸塊與所述襯底電連接；
底部填充物，環(huán)繞所述至少一個(gè)微焊料凸塊并形成在所述襯底和所述管芯之間；以及
至少一個(gè)球柵陣列(BGA)焊料凸塊，在所述底部填充物的外側(cè)被設(shè)置在所述襯底上方，
其中，所述多個(gè)凹陷散布在所述底部填充物周圍以使來自所述底部填充物的任意溢出物保留在至少一個(gè)凹陷中。
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