[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201310070789.3
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN103489913A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 奧村秀樹
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌;陳萍

1.一種半導體裝置，具備：

第一導電型的第一半導體層；

第二半導體層，是設置在上述第一半導體層之上的上述第一導電型的第二半導體層，上述第二半導體層所含的上述第一導電型的雜質的濃度比上述第一半導體層所含的上述第一導電型的雜質的濃度低；

第三半導體層，是設置在上述第二半導體層之上的第二導電型的第三半導體層，該第三半導體層具有第一部分和第二部分，該第二部分在與上述第一半導體層和上述第二半導體層的層疊方向垂直的面內包圍上述第一部分，上述第三半導體層所含的上述第一導電型的雜質的濃度比上述第二半導體層所含的上述第一導電型的雜質的上述濃度低；

設置在上述第一部分之上的第一導電型的第四半導體層；

柵極，從上述第四半導體層朝上述第二半導體層延伸，具有位于上述第二半導體層的下端；

場板電極，設置在上述柵極的下側，具有位于上述第二半導體層的下端；

絕緣膜，設置在上述柵極與上述第四半導體層之間、上述柵極與上述第一部分之間、上述柵極與上述第二半導體層之間、上述柵極與上述場板電極之間、以及上述場板電極與上述第二半導體層之間；

第一主電極，與上述第一半導體層電連接；

第二主電極，與上述第三半導體層及上述第四半導體層電連接；以及

絕緣部，至少設置在上述第一部分與上述第二部分之間，使上述第一部分與上述第二部分電絕緣。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備上述第二導電型的第一歐姆接觸層，該第一歐姆接觸層貫通上述第四半導體層而到達上述第三半導體層，并與上述第二主電極歐姆接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

上述第一歐姆接觸層的雜質濃度比上述第三半導體層的雜質濃度高。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第二部分與上述第一主電極電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

還具備外周電極，該外周電極設置在上述第二部分之上，并與上述第一主電極以及上述第二部分電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

還具備設置于上述第二部分并與上述外周電極歐姆接觸的上述第二導電型的第二歐姆接觸層，上述第二歐姆接觸層的雜質濃度比上述第三半導體層的雜質濃度高。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第三半導體層具有從上述第一部分朝上述第一半導體層延伸的柱部。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

在上述柱部的與上述面平行的平面中的每單位面積的第二導電型雜質的有效劑量為N1，上述第二半導體層中的在與上述面平行的方向上與上述柱部對置的對置區域的與上述面平行的平面中的每單位面積的第一導電型雜質的有效劑量為N2時，上述N1以及上述N2滿足1≤(2×N2)/N1≤1.5的關系，其中，有效劑量的單位為atoms/cm²。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第一主電極含有V、Ni、Au、Ag以及Sn中的至少任一種。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第二主電極含有Al。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備層間絕緣膜，該層間絕緣膜設置在上述第二主電極與上述柵極之間，使上述第二主電極與上述柵極電絕緣。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述場板電極與上述第二主電極電連接。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述第二半導體層具有沿著上述層疊方向的第一側面，

上述第三半導體層的上述第二部分具有沿著上述層疊方向的第二側面，

上述第二側面與上述第一側面處于同一面內。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，

上述第一側面以及上述第二側面是破碎層。