[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310070789.3
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號(hào): CN103489913A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奧村秀樹
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌;陳萍

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；

第二半導(dǎo)體層，是設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體層之上的上述第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，上述第二半導(dǎo)體層所含的上述第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的濃度比上述第一半導(dǎo)體層所含的上述第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的濃度低；

第三半導(dǎo)體層，是設(shè)置在上述第二半導(dǎo)體層之上的第二導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，該第三半導(dǎo)體層具有第一部分和第二部分，該第二部分在與上述第一半導(dǎo)體層和上述第二半導(dǎo)體層的層疊方向垂直的面內(nèi)包圍上述第一部分，上述第三半導(dǎo)體層所含的上述第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的濃度比上述第二半導(dǎo)體層所含的上述第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)的上述濃度低；

設(shè)置在上述第一部分之上的第一導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層；

柵極，從上述第四半導(dǎo)體層朝上述第二半導(dǎo)體層延伸，具有位于上述第二半導(dǎo)體層的下端；

場板電極，設(shè)置在上述柵極的下側(cè)，具有位于上述第二半導(dǎo)體層的下端；

絕緣膜，設(shè)置在上述柵極與上述第四半導(dǎo)體層之間、上述柵極與上述第一部分之間、上述柵極與上述第二半導(dǎo)體層之間、上述柵極與上述場板電極之間、以及上述場板電極與上述第二半導(dǎo)體層之間；

第一主電極，與上述第一半導(dǎo)體層電連接；

第二主電極，與上述第三半導(dǎo)體層及上述第四半導(dǎo)體層電連接；以及

絕緣部，至少設(shè)置在上述第一部分與上述第二部分之間，使上述第一部分與上述第二部分電絕緣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備上述第二導(dǎo)電型的第一歐姆接觸層，該第一歐姆接觸層貫通上述第四半導(dǎo)體層而到達(dá)上述第三半導(dǎo)體層，并與上述第二主電極歐姆接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第一歐姆接觸層的雜質(zhì)濃度比上述第三半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第二部分與上述第一主電極電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備外周電極，該外周電極設(shè)置在上述第二部分之上，并與上述第一主電極以及上述第二部分電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備設(shè)置于上述第二部分并與上述外周電極歐姆接觸的上述第二導(dǎo)電型的第二歐姆接觸層，上述第二歐姆接觸層的雜質(zhì)濃度比上述第三半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第三半導(dǎo)體層具有從上述第一部分朝上述第一半導(dǎo)體層延伸的柱部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在上述柱部的與上述面平行的平面中的每單位面積的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的有效劑量為N1，上述第二半導(dǎo)體層中的在與上述面平行的方向上與上述柱部對置的對置區(qū)域的與上述面平行的平面中的每單位面積的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的有效劑量為N2時(shí)，上述N1以及上述N2滿足1≤(2×N2)/N1≤1.5的關(guān)系，其中，有效劑量的單位為atoms/cm²。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第一主電極含有V、Ni、Au、Ag以及Sn中的至少任一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第二主電極含有Al。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備層間絕緣膜，該層間絕緣膜設(shè)置在上述第二主電極與上述柵極之間，使上述第二主電極與上述柵極電絕緣。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述場板電極與上述第二主電極電連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第二半導(dǎo)體層具有沿著上述層疊方向的第一側(cè)面，

上述第三半導(dǎo)體層的上述第二部分具有沿著上述層疊方向的第二側(cè)面，

上述第二側(cè)面與上述第一側(cè)面處于同一面內(nèi)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第一側(cè)面以及上述第二側(cè)面是破碎層。