[發明專利]聲界面波裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201310070546.X
• 申請日: 2005-03-24
• 公開（公告）號: CN103187944A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 門田道雄;神藤始
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 薛凱

技術領域

本發明，涉及一種利用在媒質的界面傳送的聲界面波的聲界面波裝置的制造方法以及該聲界面波裝置，更為詳細來說，涉及一種具有在電極兩側的媒質中的一方媒質的外側還疊層媒質的構造的聲界面波裝置的制造方法以及聲界面波裝置。

背景技術

以往，在移動電話用RF濾波器與IF濾波器，以及VCO用共振子與電視機用VIF濾波器等中，使用各種聲表面波裝置。聲表面波裝置，使用在媒質表面傳送的瑞利波或第1泄漏波等聲表面波。

聲表面波由于在媒質表面傳送，因此對媒質的表面狀態的變化很敏感。因此，為了保護媒質的聲表面波傳送面，聲表面波器件被氣密封在設有面對該傳送面的空洞的封裝中。由于使用這種具有空洞的封裝，因此聲表面波裝置的成本不得不增高。另外，由于封裝的尺寸遠大于聲表面波器件的尺寸，因此聲表面波裝置不得不增大。

另外，在彈性波中，除了上述聲表面波之外，還有在固體間的界面中傳送的聲界面波(Boundary?Acoustic?Wave)。

例如，下述的非專利文獻1中，公開了一種在126°旋轉Y板X傳送的LiTaO₃基板上形成有IDT，并且IDT與LiTaO₃基板上SiO₂膜形成為給定的厚度的聲界面波裝置。這里，示出了傳送稱作斯通利(stoneley)波的SV+P型的聲界面波的情形。另外，非專利文獻1中，示出了在上述SiO₂膜的膜厚為1.0λ(λ為聲界面波的波長)的情況下，機電結合系數為2％。

聲界面波，在能量集中在固體間的界面部分中的狀態下傳送。因此，上述LiTaO₃基板的底面以及SiO₂膜的表面上，幾乎不存在能量，所以基板或薄膜的表面狀態的變化幾乎不引起特性變化。所以，能夠省去空洞形成封裝，減小彈性波裝置的尺寸。

另外，利用彈性波的濾波器或共振子中，為了抑制共振頻率或中心頻率的偏差，提出了各種各樣的頻率調整方法。例如，下述專利文獻1中，公開了一種在利用體波的厚度振動的壓電陶瓷濾波器中，通過對壓電陶瓷基板的表面上形成有的共振電極蒸鍍絕緣性物質，來進行頻率調整的方法。

另外，下述專利文獻2中，在利用表面波的表面波裝置中，形成SiN膜來將形成在壓電基板上的IDT電極以及反射器覆蓋起來，通過該SiN膜的膜厚調整，來調整中心頻率或共振頻率。

另外，下述專利文獻3中，公開了圖12所示的聲界面波裝置。聲界面波裝置100中，在壓電性的第1基板101上，形成有梳齒電極102、102。之后，形成電介質膜103覆蓋梳齒電極102、102。之后，在電介質膜103的上面，層積由Si類材料所形成的第2基板104。聲界面波裝置100中，Si類材料所形成的第2基板104不與梳齒電極102、102直接接觸，之間設有電介質膜103，因此能夠降低梳齒電極102、102間的寄生電阻。

非專利文獻1：“Piezoelectric?Acoustic?Boundary?Waves?PropagatingAlong?the?Interface?Between?SiO2and?LiTaO3”IEEE?Trans.Sonics?andultrason.，VOL.SU-25，No.6，1978IEEE

專利文獻1：特開平5-191193號公報

專利文獻2：特開平2-301210號公報

專利文獻3：WO98/51011號

前述的聲界面波裝置中，由于不需要空洞形成封裝，因此能夠實現彈性波裝置的小型化。但是，根據本發明人的實驗，聲界面波裝置中，也和聲表面波裝置的情況一樣，容易因制造偏差引起共振頻率或中心頻率偏差。特別是聲界面波裝置中，在第1媒質上形成了電極之后，形成第2媒質覆蓋該電極。因此，第2媒質的制造如果產生偏差，聲界面波裝置的頻率就容易產生很大的偏差。

另外，專利文獻1與專利文獻2所述的方法中，在實施體波裝置的頻率調整時，在體波基板表面蒸鍍絕緣性物質，專利文獻2所述的方法中，在表面波基板上設置SiN膜進行頻率調整。也即，以往的體波裝置或聲表面波裝置中，利用振動能量分布在基板表面這一點，通過在基板表面上設置絕緣體或金屬，來進行頻率調整。另外，還公知有通過蝕刻基板表面的電極，或蝕刻基板表面來調整頻率的方法。

但是，聲界面波裝置中，由于裝置表面幾乎沒有分布界面波的振動能量，因此無法使用這樣的頻率調整方法。也即，即使在基板表面設置絕緣物等異物，或切削基板表面，共振頻率或通頻帶也不會變化。