[發明專利]切削裝置在審
| 申請號: | 201310070432.5 | 申請日: | 2013-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN103311114A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 谷本亮治;松田智人 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 黨曉林;王小東 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切削 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及利用刀具(切削工具,cutting?tool)對晶片等被加工物進行回轉切削的切削裝置。
背景技術
在用于實現半導體器件的輕薄短小化的技術中有各種各樣的技術。作為一個示例,在形成于半導體晶片的器件表面形成多個高度大約10~100μm的被稱為凸點的金屬凸起物,使這些凸點與形成于配線基板上的電極相對而直接進行接合,這被稱為倒裝焊接(flip?chip?bonding)的安裝技術已實用化。
形成于半導體晶片的器件表面的凸點通過電鍍或釘頭凸點(stud?bump)這樣的方法而形成。因此,各個凸點的高度不均一,這樣很難直接將多個凸點全部均一地與配線基板的電極接合。
此外,為了實現高密度配線,存在一種在凸點與配線基板之間夾著各向異性導電性薄膜(ACF)而進行接合的集成電路安裝技術。采用該安裝技術的情況下,若凸點的高度不夠,則導致接合不良,因此需要一定以上的凸點高度。
因此,優選將形成于半導體晶片的表面的多個凸點切削成所希望的高度。作為將凸點切削成所希望的高度的方法,在例如日本特開2004-319697號公報中提出了采用刀輪來削取凸點的方法。
刀輪具備輪基座和刀具單元,所述刀具單元包括配設于輪基座的切削刃,一邊使刀輪旋轉一邊在切削刃與被加工物抵接的狀態下使刀輪和被加工物滑動,從而完成切削。
切削裝置具備接觸式的高度位置檢測器,該接觸式的高度位置檢測器用于檢測被保持在卡盤工作臺上的晶片等被加工物的上表面高度位置,根據檢測出的被加工物的上表面高度位置對被加工物進行切削,而將其減薄至預定的厚度。
現有技術文獻
專利文獻1:日本特開2004-319697號公報
專利文獻2:日本特開2009-172723號公報
發明內容
另外,在被加工物的上表面上有灰塵等異物的情況下,高度位置檢測器的接觸針有可能接觸到灰塵而將灰塵的上表面作為被加工物的上表面來檢測高度位置。若將灰塵的上表面作為被加工物的上表面而進行誤檢測,則切削后的被加工物不能被減薄至預定厚度而出現問題。
此外,在切削被加工物時的最終的除去量多于切削刃一次切入于被加工物的切入量的情況下,在利用定位在預定高度的刀具切削單元對被加工物進行切削后,將刀具切削單元定位在更下方的位置來對被加工物進行切削,反復進行該動作,分成多徑地切削掉最終的除去量。
在通過多徑進行加工時,有時在以最終路徑進行切削加工前利用接觸式的高度位置檢測器對被加工物的上表面高度位置進行一次檢測,通過以最終路徑切削除去相當于預定厚度的量,從而高精度地控制最終的完成厚度。
由于在以最終路徑進行切削加工前的被加工物上表面附著有在前面的切削加工中產生的切削屑,因此很有可能在利用高度位置檢測器對被加工物的上表面高度位置進行檢測時將附著物上表面誤檢測成被加工物上表面高度位置。
本發明正是鑒于這樣的問題而完成的,其目的在于提供一種切削裝置,其不會誤檢測被加工物的上表面高度位置,能夠將被加工物減薄至預定的厚度。
根據第一方面的發明,提供一種切削裝置,其特征在于,該切削裝置具備:卡盤工作臺,其具有用于保持被加工物的保持面;刀具切削單元,其用于對保持在該卡盤工作臺上的被加工物的上表面進行切削,以將被加工物減薄至預定的厚度;高度位置檢測構件,其用于檢測被保持在該卡盤工作臺上的被加工物的上表面高度位置;以及清洗流體供給構件,其用于將清洗流體供給到通過該高度位置檢測構件檢測上表面高度位置的、保持在該卡盤工作臺上的被加工物的區域。
根據第二方面的發明,提供一種切削裝置,其中,高度位置檢測構件具有與被加工物的上表面接觸的接觸針,清洗流體供給構件朝向接觸針供給清洗流體。
根據第三方面的發明,提供一種切削裝置,其中,清洗流體由液體與氣體的混合流體構成。
發明效果
根據第一方面的發明,由于從清洗流體供給構件將清洗流體供給到通過高度位置檢測構件檢測上表面高度位置的被加工物的區域,因此能夠在不會誤檢測被加工物的上表面高度位置的情況下將被加工物減薄至預定的厚度。
根據第二方面的發明,在上表面高度位置檢測構件是具有接觸針的接觸式的情況下,即使異物附著在上表面高度位置檢測構件的接觸針上,也能夠利用清洗流體進行清洗,因此能夠準確地檢測被加工物的高度位置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社迪思科,未經株式會社迪思科許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310070432.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





