[發(fā)明專利]基于PI的液柵型石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法和檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310069819.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103199020A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳蕾;成霽;金慶輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/336 | 分類號(hào): | H01L21/336;H01L29/786;G01R31/26;G01N21/64 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
| 地址: | 200050 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 pi 液柵型 石墨 場(chǎng)效應(yīng) 制備 方法 檢測(cè) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種“液柵型”石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法和檢測(cè)方法,特別涉及利用聚酰亞胺(PI)材料以獲得柔性器件的場(chǎng)效應(yīng)管的制備方法及檢測(cè)方法,所述的器件具有較好的生物相容性,可望用作醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的植入性器件。
背景技術(shù)
基于“液柵型”的場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的生物傳感器具有極高的靈敏度,在痕量生物信號(hào)檢測(cè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,但仍然存在明顯不足。當(dāng)前基于剛性基底的場(chǎng)效應(yīng)管傳感器,成本較高,而且不太適合用作醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的植入式器件。與之相比,基于柔性材料的場(chǎng)效應(yīng)管,能夠適用于更多檢測(cè)環(huán)境,而且選用合適的聚合物材料能大大降低基底材料對(duì)石墨烯的摻雜影響。因此,基于PI的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管在生物信號(hào)檢測(cè)方面具有良好的應(yīng)用潛力。
在設(shè)計(jì)器件時(shí),必須考慮器件材料的生物兼容性、絕緣性能及長(zhǎng)期穩(wěn)定性等因素。其中,如何通過(guò)簡(jiǎn)單快速的微細(xì)加工工藝加工生物兼容性良好的材料是需要解決的首要問(wèn)題。目前用于加工柔性石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管的材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)和聚苯乙烯(PS)兩類聚合物材料。PET和PS材料絕緣性能好,能夠避免電解質(zhì)溶液滲入,性質(zhì)相對(duì)穩(wěn)定,但對(duì)其進(jìn)行微加工相對(duì)困難。目前采用這兩種材料作為基底的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極沒(méi)有絕緣,溶液直接滴加在石墨烯部分進(jìn)行檢測(cè),這妨礙了器件的封裝和集成。
與上述兩種材料相比,PI具有良好的生物相容性,可用于制作植入性電極,而且PI的最大優(yōu)勢(shì)在于性能穩(wěn)定且與微加工工藝相兼容。光敏性的聚酰亞胺材料,可以通過(guò)光刻的方法,制作出微米級(jí)別的精細(xì)結(jié)構(gòu)。該特點(diǎn)能夠充分滿足特定的應(yīng)用如植入式檢測(cè)的需要。
為了克服現(xiàn)有的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管柔性基底的穩(wěn)定性問(wèn)題和加工工藝復(fù)雜問(wèn)題,本發(fā)明擬提供一種基于PI柔性基底的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管制備方法及檢測(cè)方法,為可植入式器件的發(fā)展提供了新的思路。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種基于PI柔性基底的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管制備方法及檢測(cè)方法,本發(fā)明的目的通過(guò)以下措施來(lái)達(dá)到:在硅基底上沉積鋁層作為犧牲層;將PI光刻膠(Durimide7510)旋涂在鋁層上作為柔性場(chǎng)效應(yīng)管的基底;以商品化的石墨烯/聚甲基酸甲酯薄膜轉(zhuǎn)移至預(yù)先沉積在PI基底上的鈦/金電極,形成良好的歐姆接觸;以一層AZ4620光刻膠作為石墨烯圖形化的掩模層;以氧等離子體(Oxygen?Plasma)對(duì)石墨烯進(jìn)行刻蝕;利用PI光刻膠在圖形化的石墨烯表面制作絕緣層,形成液柵型的結(jié)構(gòu)。
所述的PI基底絕緣材料,①在特定位置經(jīng)等離子體刻蝕,以便沉積大厚度的金電極,以減少器件電阻率;頂層PI絕緣材料為光敏材料,暴露出石墨烯和電極引線部位;②沉積于鋁層表面,厚度為4-6微米;在氬氫混合氣氛圍中加熱至350℃1小時(shí),得到固化后的PI層。
所述的金電極,其特征在于厚度80-120微米,寬度為40-60微米,使用玻璃(lift-off)工藝制作。
所述的石墨烯,其特征在于將石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至預(yù)先制作的金電極上,使用光刻和氧等離子體刻蝕的方法進(jìn)行圖形化。
所述的鋁層,其特征在于厚度為1微米,底部預(yù)先沉積有10納米的鈦金屬層。
依本發(fā)明工藝制備的基于PI柔性基底的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管,其特征在于:場(chǎng)效應(yīng)管的基底和制作的絕緣材料層均為具有生物相容性的PI;該器件能夠從硬質(zhì)基底上釋放。
所述的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管,其特征在于柵極為電解質(zhì)溶液,與石墨烯直接接觸。
作為本發(fā)明提供的方法制備的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管上進(jìn)行細(xì)胞的培養(yǎng)和觀察試驗(yàn)(詳見(jiàn)實(shí)施例3)結(jié)果表明器件表現(xiàn)出良好的生物相容性。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于利用金電極與石墨烯直接接觸,利用金較大的功函數(shù)減少了接觸電阻;利用鋁層作為犧牲層,方便于釋放制作好的器件;利用PI柔性材料優(yōu)越的生物相容性,使得該器件能夠應(yīng)用于在體研究。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





