[發明專利]與改進的互補 MOSFET 開關相關的方法及裝置

無效

• 申請號: 201310067924.9
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103297013A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 尼科萊·加尼;肯納斯·P·斯諾頓
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

本說明書涉及一種與改進的互補金屬氧化物半導體場效應晶體管(CMOS)開關器件相關的方法及裝置。

背景技術

已知的互補金屬氧化物半導體場效應晶體管(CMOS)開關器件可能具有會對CMOS開關器件的功能產生不良影響的導通電阻和/或導通電容。例如，導通電阻相對較高和/或導通電容相對較高的CMOS開關器件會削弱穿過CMOS開關器件的信號，引入延遲或使該信號產生畸變。在已知的CMOS開關器件處進行控制的信號保真度可能會因CMOS開關器件的導通電阻和/或導通電容的不良電平而受到損害。因此，需要系統、方法及裝置來解決本技術的不足并提供其他新的和創新的特征。

發明內容

在一個主要方面，一種裝置可包括具有第一部分及第二部分的互補開關電路，以及與所述互補開關電路的第一部分耦接的第一驅動器電路。所述裝置可包括與所述第一驅動器耦接的正電荷泵器件，以及與所述互補開關電路的第二部分耦接的第二驅動器電路。所述裝置還可包括與所述第二驅動器電路耦接的負電荷泵器件。

在另一個主要方面，一種裝置可包括正電荷泵器件，以及負電荷泵器件。所述裝置可包括傳輸門開關，其包括經由第一驅動器電路可操作地與所述正電荷泵器件耦接的N型金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件，以及經由第二驅動器電路可操作地與所述負電荷泵耦接的P型MOSFET器件。

在又一個主要方面，一種方法可包括在電荷泵開關的輸入端接收開關啟用信號，以及響應于開關啟用信號的接收，向所述電荷泵開關中包括的開關電路的第一部分施加比調節電壓高的正電荷泵電壓。所述方法可包括響應于開關啟用信號的接收，向所述電荷泵開關中包括的開關電路的第二部分施加比地電壓低的負電荷泵電壓。

在下面的附圖及說明書中陳述了一種或多種實現的詳情。根據說明書、附圖以及權利要求其他特征將變得顯而易見。

附圖說明

圖1是示出了根據一個實施方式的電荷泵開關的框圖。

圖2是示出了根據一個實施方式的電荷泵開關的實現的示意圖。

圖3A至圖3F是示出了電荷泵開關的操作的圖。

圖4是示出了根據一個實施方式的電荷泵開關的操作方法的流程圖。

圖5是示出了包括多個電荷泵器件及互補金屬氧化物半導體場效應晶體管（CMOS）開關電路的電荷泵開關的導通電阻的圖。

圖6是示出了包括多個電荷泵器件及CMOS開關電路的電荷泵開關的導通電容的圖。

圖7示出了根據一個實施方式的包括開關陣列的計算設備的框圖。

圖8A及圖8B是示出了根據一個實施方式的電荷泵開關的其他實現的示意圖。

具體實施方式

圖1是示出了根據一個實施方式的電荷泵開關100的框圖。如圖1所示，電荷泵開關100與信號發生器180耦接，且電荷泵開關100與信號接收器190耦接。當（例如，響應于）啟用電荷泵開關100時（例如，接通、激活、變為導通狀態或穿過狀態（pass-through?state）），電荷泵開關100被配置為使得由信號發生器180產生的數據信號12可以穿過電荷泵開關100至信號接收器190。當禁用電荷泵開關100時（例如，斷開、高阻抗、停用、變為斷開狀態或截止狀態），電荷泵開關100還被配置為使得由信號發生器產生的數據信號12不可以穿過電荷泵開關100至信號接收器190。在某些實施方式中，數據信號12進入電荷泵開關100（從信號發生器180）的部分可以被稱為數據信號12的輸入部分或稱為輸入數據信號，數據信號12離開電荷泵開關100的部分（至信號接收器190）（未示出）可以被稱為數據信號12的輸出部分或稱為輸出數據信號。

在本實施方式中，可以響應于開關控制信號10啟用或禁用電荷泵開關100。換句話說，可響應于開關控制信號10觸發電荷泵開關100將信號發生器180產生的信號傳遞至信號接收器190或切斷該信號。

如圖1所示，電荷泵開關100包括與信號發生器180和信號接收器190耦接的開關電路110。開關電路110包括第一部分112及第二部分114。第一部分112及第二部分114可以分別配置成在啟用或禁用電荷泵開關100時在導通狀態（例如，活動狀態、導電狀態）和斷開狀態（例如，停用狀態、非導電狀態）之間改變。如圖1所示，數據信號12可以與電荷泵開關100中包括的開關電路110耦接。