[發(fā)明專利]與改進的互補 MOSFET 開關相關的方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310067924.9
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103297013A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 尼科萊·加尼;肯納斯·P·斯諾頓
• 申請（專利權）人: 飛兆半導體公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種裝置，包括:

互補開關電路，包括第一部分及第二部分;

第一驅動器電路，耦接至所述互補開關電路的第一部分;

正電荷泵器件，耦接至所述第一驅動器;

第二驅動器電路，耦接至所述互補開關電路的第二部分;以及

負電荷泵器件，耦接至與所述第二驅動器電路。

2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述第一驅動器電路被配置成提供與由所述第二驅動器電路提供的電壓范圍重疊的電壓范圍，由所述第一驅動器電路提供的電壓范圍包括由所述正電荷泵器件產(chǎn)生的正電荷泵電壓，由所述第二驅動器電路提供的電壓范圍包括由所述負電荷泵器件產(chǎn)生的負電荷泵電壓。

3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述互補開關電路是傳輸門開關，所述傳輸門開關被配置成在激活所述互補開關時傳遞由信號發(fā)生器產(chǎn)生的信號并被配置成在停用所述互補開關時阻擋由所述信號發(fā)生器產(chǎn)生的信號。

4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述第一驅動器電路包括至少一個逆變器，并且所述第二驅動器電路包括至少兩個逆變器。

5.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述第二驅動器電路與調節(jié)電壓耦接，并且所述正電荷泵器件被配置成產(chǎn)生比所述調節(jié)電壓大的電壓。

6.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述正電荷泵器件被配置成經(jīng)由所述第一驅動器電路向所述互補開關電路的第一部分施加比調節(jié)電壓高的正電荷泵電壓。

7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述負電荷泵器件被配置成經(jīng)由所述第二驅動器電路向所述互補開關電路的第二部分施加比地電壓低的負電荷泵電壓。

8.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述互補開關電路是被包括在開關陣列中的第一互補開關電路，所述開關陣列包括與所述第一互補開關電路并聯(lián)的第二互補開關電路。

9.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，所述互補開關電路包括互補金屬氧化物半導體場效應晶體管器件。

10.根據(jù)權利要求1所述的裝置，進一步包括:

電壓選擇器，被配置成經(jīng)由所述第二驅動器電路為所述互補開關電路的第二部分提供選自一組電壓中的電壓。

11.一種裝置，包括:

正電荷泵器件;

負電荷泵器件;以及

傳輸門開關，包括經(jīng)由第一驅動器電路與所述正電荷泵器件可操作地耦接的N型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件，以及經(jīng)由第二驅動器電路與所述負電荷泵可操作地耦接的P型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件。

12.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，所述第一驅動器電路被配置成提供比由所述第二驅動器電路提供的電壓范圍高的電壓范圍。

13.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，所述第二驅動器電路耦接至比正電荷泵電壓低且比電池電壓低的調節(jié)電壓，所述第一驅動器電路耦接至比負電荷泵電壓高的地電壓。

14.根據(jù)權利要求11所述的裝置，進一步包括:

多個關斷電壓控制器件，被配置成基于傳輸門開關的激活或停用而為P型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件選擇性地提供關斷電壓。

15.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，所述p型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件是第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件，

所述裝置進一步包括:

第二P型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件，被配置成在禁用所述傳輸門開關時為所述第一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件提供選自一組電壓中的電壓，所述一組電壓包括多于兩個的電壓并包括正電荷泵電壓。

16.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，所述傳輸門開關用作信號穿過器件。

17.根據(jù)權利要求11所述的裝置，其中，所述第二驅動器電路被配置成為所述p型金屬氧化物半導體場效應晶體管器件提供調節(jié)電壓以停用所述傳輸門開關，所述正電荷泵電壓的大小大于所述調節(jié)電壓的大小的1.5倍。