[發明專利]線性沉積源及包括該線性沉積源的真空沉積裝置

有效

• 申請號: 201310067210.8
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103774095B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 金珉鎬;鄭成鎬;崔炫
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 齊葵;周艷玲

本發明涉及線性沉積源及包括該線性沉積源的真空沉積裝置。本發明的線性沉積源包括：坩堝，存儲蒸發物質；加熱部，加熱所述坩堝；及側面反射器。所述側面反射器包圍所述加熱部的側面，設置為多個。多個所述側面反射器分別包括第一反射器及第二反射器。所述第一反射器與所述加熱部隔開而結合，具有多個第一開口。所述第二反射器能夠移動地與所述第一反射器結合，具有第二開口。多個所述側面反射器的開口率是相互獨立地調節的，因此能夠按區域調節所述坩堝的溫度，結果是能夠提高線性沉積源的沉積均勻度。

技術領域

本發明涉及一種線性沉積源及包括該線性沉積源的真空沉積裝置，尤其涉及能夠按區域對坩堝的溫度進行控制的線性沉積源及包括該線性沉積源的真空沉積裝置。

背景技術

一般來說，在基板上形成薄膜的方法中有真空沉積法（evaporation）、離子鍍法（ion plating）及濺射法（sputtering）等物理氣相沉積法（PVD）和由氣體反應所進行的化學氣相沉積法（CVD）。

以往的實施真空沉積法的真空沉積裝置具備沉積源，所述沉積源包括用于存儲蒸發物質的坩堝（crucible）、用于加熱所述坩堝的加熱器及用于阻斷由所述加熱器產生的熱的損失的反射器。所述沉積源可使用具有沿一側方向較長延伸形態的線性沉積源。

但在采用線性沉積源時，在所述坩堝的所述一側方向的兩端會產生微小的溫度差，因此無法形成均勻厚度的薄膜。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種線性沉積源，該線性沉積源按區域調節坩堝的溫度，因此沉積均勻度高。

本發明的一實施例的線性沉積源包括：坩堝，存儲蒸發物質；加熱部，加熱所述坩堝；及側面反射器。所述側面反射器包圍所述加熱部的側面，設置為多個。

多個所述側面反射器分別包括第一反射器及第二反射器。所述第一反射器與所述加熱部隔開而結合，具有多個第一開口。所述第二反射器能夠移動地與所述第一反射器結合，具有第二開口。

多個所述側面反射器的開口率可相互獨立地進行調節。

多個所述側面反射器可分別進一步包括使所述第二反射器沿第一方向移動的沉積源輸送部。

所述第一開口及所述第二開口可具有相同的大小和數量。

所述加熱部可包括用于加熱所述坩堝的加熱器及用于支撐所述加熱器的加熱框。

所述線性沉積源可進一步包括：溫度傳感部，固定在所述加熱框，并配置于所述坩堝和所述加熱器之間。所述溫度傳感部的數量可與多個所述側面反射器的數量相同。

本發明的一實施例的真空沉積裝置包括工藝腔室、線性沉積源及基板支架。所述基板支架配置為與所述線性沉積源相對。

所述線性沉積源可位于所述工藝腔室的內部。

根據本發明的一實施例的真空沉積裝置，能夠通過調節側面反射器的開口率來按區域調節坩堝的溫度，結果是能夠提高線性沉積源的沉積均勻度。

附圖說明

圖1為根據一實施例的真空沉積裝置的示意圖。

圖2為圖1中的線性沉積源的立體圖。

圖3為圖1中的線性沉積源的俯視圖。

圖4為圖3的I-I’向剖視圖。

圖5a至圖5c為顯示具有多種開口率的多個所述側面反射器的圖。

圖6為所述側面反射器的開口率和坩堝的溫度之間關系的檢測圖。

符號說明

100：真空沉積裝置 200：工藝腔室