[發明專利]配線電路基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201310066279.9 | 申請日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN103298261B | 公開(公告)日: | 2018-03-30 |
| 發明(設計)人: | 白藤陽平 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00;H05K1/03 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 配線電 路基 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種配線電路基板及其制造方法。
背景技術
在硬盤驅動裝置等驅動裝置中使用驅動器。這種驅動器包括以能夠旋轉的方式設置在轉動軸上的臂和安裝在臂上的帶電路的懸掛基板。帶電路的懸掛基板是用于將磁頭定位于磁盤的所希望的磁道的配線電路基板。
日本特開2001-352137號公報所述的帶電路的懸掛基板具有磁頭側連接端子和外部側連接端子。磁頭側連接端子和外部側連接端子形成為兩面暴露的飛線(日文:フライングリード)。
在制造該帶電路的懸掛基板時,通過在支承基板上形成由感光性樹脂構成的覆膜并對該覆膜實施曝光處理和顯影處理,從而形成具有規定圖案的基底層。在該情況下,利用光掩模進行灰度曝光(日文:階調露光),從而在基底層上形成厚度小于其他部分的開口部。其后,在基底層上以通過開口部內的方式延伸地形成導體層,并在導體層上形成覆蓋層。
另外,通過使覆蓋層中的與基底層的開口部相對應的部分開口而使導體層的表面暴露。然后,通過在支承基板中的與基底層的開口部相對應的部分形成開口部并貫通基底層的開口部,從而使導體層的背面暴露。在暴露出的導體層的兩面形成金屬鍍層。通過這樣設置來形成磁頭側連接端子和外部側連接端子。
在上述制造方法中,在對支承基板上的覆膜進行顯影處理時,覆膜中的應當形成開口部的部分有時過量溶解而形成貫通開口部的底面的孔。在該情況下,當在之后的工序中在支承基板上形成開口部時,形成在開口部內的導體層的一部分有可能通過開口部的孔而被去除。
發明內容
本發明的目的在于提供一種防止了在灰度曝光時在絕緣層中形成孔的配線電路基板及其制造方法。
(1)本發明的一技術方案提供一種配線電路基板的制造方法,該配線電路基板包括絕緣層和具有規定圖案的導體層,其中,該制造方法包括:使用具有以能供曝光用光中的一部分光透過的方式構成的部分透光區域的光掩模而進行向絕緣層照射曝光用光的灰度曝光的工序;以及以在絕緣層中的透過部分透光區域照射有曝光用光的部分形成凹部的方式對絕緣層實施顯影處理的工序,光掩模的部分透光區域包括第1區域和以包圍第1區域的方式設置的第2區域,第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量。
在該制造方法中,使用具有以能供曝光用光中的一部分光透過的方式構成的部分透光區域的光掩模來對絕緣層實施灰度曝光。其后,對絕緣層實施顯影處理。由此,在絕緣層中的透過部分透光區域照射有曝光用光的部分形成凹部。
在光掩模的部分透光區域中,以包圍第1區域的方式設置有第2區域。在該情況下,第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量。
由此,絕緣層中的透過部分透光區域照射有曝光用光的部分中的、在顯影處理時易于溶解的周緣部的區域與其他區域相比會被照射較多的曝光用光。因而,能夠防止在顯影處理時周緣部的區域的過量地溶解。其結果,能夠防止形成貫通絕緣層的凹部的底面的孔。
(2)也可以是,絕緣層的凹部包括內側面和底面,絕緣層中的用于構成底面的部分的厚度是恒定的。
在該情況下,通過使用上述光掩模,能夠防止形成貫通絕緣層的凹部的底面的孔并使絕緣層中的用于構成絕緣層的凹部的底面的部分的厚度恒定。
(3)也可以是,光掩模的部分透光區域包括:多個第1光透過部,其配置在第1區域中,可供曝光用光透過;以及多個第2光透過部,其配置在第2區域中,可供曝光用光透過,透過各第2光透過部的曝光用光的量多于透過各第1光透過部的曝光用光的量。
在該情況下,能夠以簡單的結構來使第2區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量多于第1區域的每單位面積的曝光用光的平均透過量。
(4)也可以是,透過各第2光透過部的曝光用光的量是透過各第1光透過部的曝光用光的量的1.1倍~1.5倍。
在該情況下,能夠透過多個第1光透過部和多個第2光透過部向絕緣層適當地照射需要量的曝光用光。由此,能夠良好地形成絕緣層的凹部。
(5)也可以是,各第1光透過部和各第2光透過部分別是圓形。
在該情況下,在制造光掩模時,能夠高精度地形成多個第1光透過部和多個第2光透過部。
(6)也可以是,各第1光透過部的直徑為4μm~14μm。
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