[發(fā)明專利]一種微納米生產(chǎn)粉塵泄露源的同位素法定位檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310066033.1 | 申請日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN103175661A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊毅;茆平;王正萍 | 申請(專利權(quán))人: | 南京理工大學(xué) |
| 主分類號: | G01M3/20 | 分類號: | G01M3/20;G01T1/29 |
| 代理公司: | 南京理工大學(xué)專利中心 32203 | 代理人: | 朱顯國 |
| 地址: | 210094 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 生產(chǎn) 粉塵 泄露 同位素 法定 檢測 方法 | ||
1.一種微納米生產(chǎn)粉塵泄露源的同位素法定位檢測方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:以同位素標記多肽代替表面改性劑中的多肽,并與表面改性劑中其他成分均勻混合;
步驟2:利用含有同位素標記多肽的表面改性劑,對半成品微納米粉體進行均勻改性和標記;
步驟3:將標記改性后的微納米粉體在氣流粉碎機上正常生產(chǎn);
步驟4:對生產(chǎn)線沿線區(qū)域和整個車間,進行同位素放射性檢測;
步驟5:基于車間內(nèi)放射性強度數(shù)據(jù),繪制生產(chǎn)車間內(nèi)粉塵濃度的分布圖,并根據(jù)粉塵濃度分布,定位粉塵泄漏源和粉塵集中分布區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述同位素為碳-14或氚。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,所述同位素標記多肽也可以是同位素標記氨基酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測方法,其特征在于,所述同位素標記多肽或氨基酸為商品化同位素標記多肽或氨基酸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,表面改性劑成分為鋁酸酯DL-411偶聯(lián)劑,硅烷KH-570偶聯(lián)劑,硬脂酸,無水乙醇,去離子水,多肽或氨基酸;其中鋁酸酯DL-411偶聯(lián)劑占總成分的0.2%~0.5%,硅烷KH-570偶聯(lián)劑占總成分的0.2%~0.5%,硬脂酸占總成分的0.3%~0.5%,無水乙醇占總成分的0.5%~1%,去離子水占總成分的0.2%~0.5%,多肽或氨基酸占總成分的0.5%~1%,其余成分為微納米粉體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測方法,其特征在于,所述微納米粉體為納米二氧化鈦或納米氧化鋅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,步驟1中所述同位素標記多肽使用量為每公斤微納米粉體的放射量1~10個微居里,即1~10?μCi/kg。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,步驟4中所述的生產(chǎn)線沿線區(qū)域的放射性檢測數(shù)據(jù)為整個車間數(shù)據(jù)檢測個數(shù)的1/3以上,整個車間的放射性數(shù)據(jù)檢測個數(shù)為30以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法,其特征在于,步驟4中所述放射性數(shù)據(jù)檢測時間為生產(chǎn)5分鐘以后至生產(chǎn)結(jié)束5分鐘以內(nèi)。
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